- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄373033 > BUT12A (NXP SEMICONDUCTORS) Silicon diffused power transistors PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號(hào)： | BUT12A |
| 廠商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | Silicon diffused power transistors |
| 中文描述： | 8 A, 450 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
| 封裝： | PLASTIC, TO-220AB, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 5/12頁 |
| 文件大?。?/td> | 100K |
| 代理商： | BUT12A |
1997 Aug 13
4
Philips Semiconductors
Product specification
Silicon diffused power transistors
BUT12; BUT12A
Fig.4 Forward bias SOAR.
T
mb
< 25
°
C.
I - Region of permissible DC operation.
II - Permissible extension for repetitive pulse operation.
(1) P
tot max
and P
tot peak max
lines.
(2) Second breakdown limits.
andbook, full pagewidth
MGB945
10
1
10
2
10
3
1000
400
10
4
VCE (V)
VCE (V)
10
10
1
10
2
10
2
10
2
10
3
IC
(A)
IC
(A)
δ
= 0.01
1 ms
2 ms
5 ms
10 ms
20 ms
DC
100
μ
s
200
μ
s
500
μ
s
tp =
20
μ
s
50
μ
s
III
III
IV
I
II
(2)
(1)
IC max
ICM max
BUT12
BUT12A
BUT12
BUT12A
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BUT12 | SILICON DIFFUSED POWER TRANSISTOR(GENERAL DESCRIPTION) |
| BUT18AF | Silicon diffused power transistors |
| BUT18 | Silicon diffused power transistors |
| BUT18A | Silicon diffused power transistors |
| BUT211X | POWERLINE: RP20-S_DF - 2:1 Wide Input Voltage Range- 20 Watts Output Power- 1.6kVDC Isolation- Fixed Operating Frequency- Six-Sided Continuous Shield- International Safety Standard Approvals- Standard 50.8 x25.4x10.2mm Package- Efficiency to 89% |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| BUT12A/B | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR HOCHSPANNUNG BIPOLAR |
| BUT12AF | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:Silicon diffused power transistors |
| BUT12AI | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:Silicon Diffused Power Transistor |
| BUT12AI,127 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT BUT12AI/SOT78/RAILH// RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| BUT12ATU | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Si Transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。