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參數(shù)資料
| 型號： | BUT11FI |
| 元件分類： | 8位微控制器 |
| 英文描述： | 8-bit MCU for automotive with 16 to 60 Kbyte Flash, ADC, CSS, 5 timers, SPI, SCI, I2C interface |
| 中文描述： | 晶體管|晶體管|叩| 400V五（巴西）總裁| 5A條一（c）|至220 |
| 文件頁數(shù)： | 5/5頁 |
| 文件大?。?/td> | 226K |
| 代理商： | BUT11FI |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BUT11 | NPN SILICON TRANSISTOR(HIGH VOLTAGE POWER SWITCHING APPLICATIONS) |
| BUT11 | NPN SILICON POWER TRANSISTOR |
| BUT11 | NPN SILICON POWER TRANSISTOR |
| BUT11 | Silicon Diffused Power Transistor(硅擴散功率型晶體管) |
| BUT12AI | Silicon Diffused Power Transistor(硅擴散功率型晶體管) |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| BUT11FTU | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Si Transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| BUT11-S | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 850V 5A NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| BUT11TU | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Sil Transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| BUT11XI | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:Silicon Diffused Power Transistor |
| BUT12 | 制造商:ISC 制造商全稱:Inchange Semiconductor Company Limited 功能描述:isc Silicon NPN Power Transistor |
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