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參數(shù)資料
| 型號： | BUT11 |
| 廠商： | Power Innovations International, Inc. |
| 英文描述： | NPN SILICON POWER TRANSISTOR |
| 中文描述： | NPN硅功率晶體管 |
| 文件頁數(shù)： | 4/5頁 |
| 文件大?。?/td> | 226K |
| 代理商： | BUT11 |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BUT11 | Silicon Diffused Power Transistor(硅擴(kuò)散功率型晶體管) |
| BUT12AI | Silicon Diffused Power Transistor(硅擴(kuò)散功率型晶體管) |
| BUT12F | Silicon diffused power transistors |
| BUT12AF | Silicon diffused power transistors |
| BUT12AF | SILICON DIFFUSED POWER TRANSISTOR(GENERAL DESCRIPTION) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| BUT11/B | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述: |
| BUT11A | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Si Transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| BUT11A,127 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT BUT11A/SOT78/RAILH// RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| BUT11A | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:TRANSISTOR NPN TO-220AB |
| BUT11A/B | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR HOCHSPANNUNG BIPOLAR |
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