參數(shù)資料
型號(hào)： BUR50S
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： High Current NPN Silicon Transistor(高電流NPN硅晶體管)
中文描述： 大電流NPN硅晶體管（高電流npn型硅晶體管）
文件頁(yè)數(shù)： 2/4頁(yè)
文件大?。?/td> 71K
代理商： BUR50S
THERMAL DATA
R
thj-case
Thermal Resistance Junction-case Max
0.5
o
C/W
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
case
= 25
o
C unless otherwise specified)
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
I
CBO
Collector Cut-off
Current (I
E
= 0)
V
CB
= 200 V
V
CB
= 200 V
T
case
= 125
o
C
V
CE
= 125 V
0.2
2
mA
mA
I
CEO
Collector Cut-off
Current (I
B
= 0)
Emitter Cut-off Current
(I
C
= 0)
V
CEO(sus)
Collector-Emitter
Sustaining Voltage
V
EBO
Emitter-base Voltage
(I
C
= 0)
V
CE(sat)
Collector-emitter
Saturation Voltage
1
mA
I
EBO
V
EB
= 7 V
I
C
= 200 mA
0.2
μ
A
125
V
I
E
= 10 mA
10
V
I
C
= 35 A I
B
= 2 A
I
C
= 70 A I
B
= 7 A
0.8
1
1.5
V
V
V
BE(sat)
Base-emitter
Saturation Voltage
I
C
= 35 A I
B
= 2 A
I
C
= 70 A I
B
= 7 A
I
C
= 5 A V
CE
= 4 V
I
C
= 50 A V
CE
= 4 V
V
CE
= 20 V t = 1 s
1.6
1.8
2
V
V
h
FE
DC Current Gain
20
15
100
I
s/b
Second Breakdown
Collector Current
Transition-Frequency
17.5
A
f
T
I
C
= 1 A V
CE
= 5 V f = 1 MHz
I
C
= 70 A I
B1
= 7 A V
CC
= 60 V
I
C
= 70 A I
B1
= 7 A
I
B2
= -7 A V
CC
= 60 V
10
16
MHz
t
on
t
s
Turn-on Time
0.5
1.2
μ
s
μ
s
μ
s
A
Storage Time
0.82
2
t
f
Fall Time
0.1
0.5
Clamped E
s/b
Collector
Current
V
clamp
= 125 V L = 500
μ
H
70
Pulsed: Pulse duration = 300
μ
s, duty cycle 1.5 %
Safe Operating Area
BUR50S
2/4
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BUR51 High Current NPN Silicon Transistor(高電流NPN硅晶體管)
BUR52 High Current NPN Silicon Transistor(高電流NPN硅晶體管)
BUV21 High Current NPN Silicon Transistors(高電流NPN硅晶體管)
BUV27 Medium Power NPN Silicon Transistor(硅平面多外延工藝NPN晶體管)
BUV28 Silicon NPN Switching Transistor(硅開(kāi)關(guān)NPN晶體管)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
BUR51 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN High Current RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BUR51S 制造商:SEME-LAB 制造商全稱:Seme LAB 功能描述:Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO3
BUR52 功能描述:兩極晶體管 - BJT DISC BY STM 08/01 TO-3 NPN PWR DARL RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BUR52_12 制造商:COMSET 制造商全稱:Comset Semiconductor 功能描述:HIGH CURRENT NPN SILICON TRANSISTORS
BUR52S 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:NPN
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購(gòu)需求

(若只采購(gòu)一條型號(hào)，填寫(xiě)一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

*型號(hào) *數(shù)量 廠商 批號(hào) 封裝
添加更多采購(gòu)

我的聯(lián)系方式

*
*
*