參數(shù)資料
型號： BUR51
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： High Current NPN Silicon Transistor(高電流NPN硅晶體管)
中文描述： 大電流NPN硅晶體管（高電流npn型硅晶體管）
文件頁數(shù)： 1/4頁
文件大?。?/td> 64K
代理商： BUR51
BUR51
HIGH CURRENT NPN SILICON TRANSISTOR
I
SGS-THOMSON PREFERRED SALESTYPE
I
NPN TRANSISTOR
DESCRIPTION
The BUR51 is a silicon multiepitaxial planar NPN
transistor in modified Jedec TO-3 metal case,
intented for use in switching and linear
applications in military and industrial equipment.
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM
June 1997
1
2
TO-3
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
Symbol
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
P
tot
T
stg
T
j
Parameter
Value
300
200
10
60
80
16
350
-65 to 200
200
Unit
V
V
V
A
A
A
W
o
C
o
C
Collector-Base Voltage (I
E
= 0)
Collector-Emitter Voltage (I
B
= 0)
Emitter-Base Voltage (I
C
= 0)
Collector Current
Collector Peak Current (t
p
= 10 ms)
Base Current
Total Dissipation at T
c
≤
25
o
C
Storage Temperature
Max. Operating Junction Temperature
1/4
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PDF描述
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