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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | BULD128DA1 |
| 英文描述： | TRANSISTOR | BJT | NPN | 400V V(BR)CEO | 4A I(C) | TO-251AA |
| 中文描述： | 晶體管|晶體管|叩| 400V五（巴西）總裁| 4A條一（c）|至251AA |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 3/7頁(yè) |
| 文件大小： | 229K |
| 代理商： | BULD128DA1 |
Safe Operating Area
Output Characteristics
Base-Emitter Saturation Voltage
Derating Curve
Collector-Emitter Saturation Voltage
DC Current Gain
BULD1101ET4
3/7
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BULD128DB1 | TRANSISTOR | BJT | NPN | 400V V(BR)CEO | 4A I(C) | TO-251AA |
| BULD138 | |
| BULD138-1 | TRANSISTOR | BJT | NPN | 400V V(BR)CEO | 5A I(C) | TO-251 |
| BULD26 | |
| BULD26-1 | TRANSISTOR | BJT | NPN | 300V V(BR)CEO | 4A I(C) | TO-251 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| BULD128DB1 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 400V V(BR)CEO | 4A I(C) | TO-251AA |
| BULD128DT4 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PWR BIP/S.SIGNAL RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| BULD138 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述: |
| BULD138-1 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 400V V(BR)CEO | 5A I(C) | TO-251 |
| BULD25 | 制造商:POINN 制造商全稱:Power Innovations Ltd 功能描述:NPN SILICON TRANSISTOR WITH INTEGRATED DIODE |
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