- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄369570 > BULD128DA1 TRANSISTOR | BJT | NPN | 400V V(BR)CEO | 4A I(C) | TO-251AA PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | BULD128DA1 |
| 英文描述： | TRANSISTOR | BJT | NPN | 400V V(BR)CEO | 4A I(C) | TO-251AA |
| 中文描述： | 晶體管|晶體管|叩| 400V五（巴西）總裁| 4A條一（c）|至251AA |
| 文件頁數(shù)： | 2/7頁 |
| 文件大小： | 229K |
| 代理商： | BULD128DA1 |
THERMAL DATA
R
thj-case
R
thj-amb
Thermal Resistance Junction-Case Max
Thermal Resistance Junction-ambient Max
3.57
100
o
C/W
o
C/W
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
case
= 25
o
C unless otherwise specified)
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
μ
A
I
CES
Collector Cut-off
Current (V
BE
= 0)
Emitter-BaseBreakdown
Voltage (I
C
= 0)
V
CEO(sus)
Collector-Emitter
Sustaining Voltage
(I
B
= 0)
V
CE(sat)
Collector-Emitter
Saturation Voltage
V
BE(sat)
Base-Emitter
Saturation Voltage
h
FE
DC Current Gain
V
CE
= 1100 V
100
V
(BR)EBO
I
E
= 1 mA
12
24
V
I
C
= 100 mA
450
V
I
C
= 1 A I
B
= 200 mA
I
C
= 1 A I
B
= 200 mA T
j
= 125
o
C
I
C
= 1 A I
B
= 200 mA
0.25
0.6
1
1.5
V
V
1.5
V
I
C
= 250 mA V
CE
= 5 V
I
C
= 250 mA V
CE
= 5 V T
j
= 125
o
C
I
C
= 2 A V
CE
= 5 V
I
C
= 2 A V
CE
= 5 V T
j
= 125
o
C
20
23
6
4
38
44
10
7
80
85
18
16
t
s
t
f
RESISTIVE LOAD
Storage Time
Fall Time
I
C
= 2.5 A V
CC
= 125 V
V
BB(off)
= -5 V t
P
= 300
μ
s
I
B1
= -I
B2
= 0.5 A
(see figure 1)
L = 2 mH C = 1.8 nF
I
BR
≤
2.5A (see figure 2)
400
2
700
μ
s
ns
E
ar
Repetitive Avalanche
Energy
6
mJ
Pulsed: Pulse duration = 300
μ
s, duty cycle 1.5 %
BULD1101ET4
2/7
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BULD128DB1 | TRANSISTOR | BJT | NPN | 400V V(BR)CEO | 4A I(C) | TO-251AA |
| BULD138 | |
| BULD138-1 | TRANSISTOR | BJT | NPN | 400V V(BR)CEO | 5A I(C) | TO-251 |
| BULD26 | |
| BULD26-1 | TRANSISTOR | BJT | NPN | 300V V(BR)CEO | 4A I(C) | TO-251 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| BULD128DB1 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 400V V(BR)CEO | 4A I(C) | TO-251AA |
| BULD128DT4 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PWR BIP/S.SIGNAL RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| BULD138 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述: |
| BULD138-1 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 400V V(BR)CEO | 5A I(C) | TO-251 |
| BULD25 | 制造商:POINN 制造商全稱:Power Innovations Ltd 功能描述:NPN SILICON TRANSISTOR WITH INTEGRATED DIODE |
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