參數(shù)資料
型號(hào)： BULB49DT4
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR
中文描述： 高壓快速開(kāi)關(guān)NPN電源晶體管
文件頁(yè)數(shù)： 2/7頁(yè)
文件大?。?/td> 252K
代理商： BULB49DT4
BULB49D
2/7
THERMAL DATA
R
thj-case
R
thj-amb
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
j
= 25 °C unless otherwise specified)
Symbol
Parameter
I
CES
Collector Cut-off
Current (V
BE
= 0)
V
CE
= 850 V
I
EBO
Emitter Cut-off Current
(I
C
= 0)
V
(BR)EBO
Emitter-Base
Breakdown Voltage
(I
C
= 0)
V
CEO(sus)
*
Collector-Emitter
Sustaining Voltage
(I
B
= 0)
V
CE(sat)
*
Collector-Emitter
Saturation Voltage
I
C
= 2 A
I
C
= 4 A
V
BE(sat)
*
Base-Emitter
Saturation Voltage
I
C
= 4 A
h
FE
*
DC Current Gain
I
C
= 10 mA
I
C
= 500 mA
I
C
= 7 A
V
CEW
*
Maximum Collector-
Emitter Voltage
Whithout Snubber
t
p
= 10 μs
RESISTIVE LOAD
Storage Time
Fall Time
(See Figure 1)
INDUCTIVE LOAD
Storage Time
Fall Time
V
BE(off)
= -5 V
(See Figure 2)
V
f
Diode Forward Voltage
I
C
= 3 A
* Pulsed: Pulse duration = 300 μs, duty cycle = 1.5 %.
Thermal Resistance Junction-case
Thermal Resistance Junction-ambient
Max
Max
1.56
62.5
°C/W
°C/W
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
100
500
Unit
μA
μA
V
CE
= 850 V
T
j
= 125 °C
V
EB
= 9 V
100
μA
I
E
= 10 mA
10
18
V
I
C
= 10 mA
450
V
I
C
= 1 A
I
B
= 0.2 A
I
B
= 0.4 A
I
B
= 0.8 A
I
B
= 0.2 A
I
B
= 0.8 A
V
CE
= 5 V
V
CE
= 5 V
V
CE
= 10 V
V
BB
= -2.5 V
R
BB
= 0
0.1
0.3
0.6
1.2
V
V
V
I
C
= 1 A
1
1.3
V
V
10
4
60
10
I
C
= 8 A
L = 50 μH
450
V
t
s
t
f
I
C
= 2 A
I
B1
= -I
B2
= 400 mA
V
CC
= 250 V
2
3
0.8
μs
ns
t
s
t
f
I
C
= 4 A
I
B(on)
= 800 mA
V
CL
= 300 V
R
BB(off)
= 0
L = 1 mH
0.6
50
1.3
100
μs
ns
1.5
V
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