參數(shù)資料
型號(hào)： BULB128D-1
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR
中文描述： 高壓快速開(kāi)關(guān)NPN電源晶體管
文件頁(yè)數(shù)： 2/7頁(yè)
文件大?。?/td> 210K
代理商： BULB128D-1
THERMAL DATA
R
thj-case
R
thj-amb
Thermal Resistance Junction-Case Max
Thermal Resistance Junction-Ambient Max
1.78
62.5
o
C/W
o
C/W
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
case
= 25
o
C unless otherwise specified)
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
μ
A
μ
A
μ
A
I
CES
Collector Cut-off
Current (V
BE
= 0 V)
Collector Cut-off
Current (I
B
= 0)
Emitter-Base
Breakdown Voltage
(I
C
= 0)
V
CE
= 700 V
V
CE
= 700 V T
C
= 125
o
C
V
CE
= 400 V
100
500
I
CEO
250
V
(BR)EBO
I
E
= 10 mA
9
18
V
V
CEO(sus)
Collector-Emitter
Sustaining Voltage
(I
B
= 0)
V
CE(sat)
Collector-Emitter
Saturation Voltage
I
C
= 100 mA L = 25 mH
400
V
I
C
= 0.5 A I
B
= 0.1 A
I
C
= 1 A I
B
= 0.2 A
I
C
= 2.5 A I
B
= 0.5 A
I
C
= 4 A I
B
= 1 A
I
C
= 0.5 A I
B
= 0.1 A
I
C
= 1 A I
B
= 0.2 A
I
C
= 2.5 A I
B
= 0.5 A
I
C
= 10 mA V
CE
= 5 V
I
C
= 2 A V
CE
= 5 V
I
f
= 2 A
V
CC
= 200 V I
C
= 2 A
I
B1
= 0.4 A V
BE(off)
= -5 V
R
BB
= 0
L = 200
μ
H
(see fig.1)
V
CC
= 250 V I
C
= 2 A
I
B1
= 0.4 A I
B2
= -0.4 A
T
p
= 300
μ
s (see fig.2)
0.5
0.7
1
1.5
V
V
V
V
V
BE(sat)
Base-Emitter
Saturation Voltage
1.1
1.2
1.3
V
V
V
h
FE
DC Current Gain
10
12
32
V
f
Forward Voltage Drop
2.5
V
t
s
t
f
INDUCTIVE LOAD
Storage Time
Fall Time
0.6
0.1
μ
s
μ
s
t
s
t
f
RESISTIVE LOAD
Storage Time
Fall Time
2
0.2
2.9
μ
s
μ
s
Pulsed: Pulse duration = 300
μ
s, duty cycle 1.5 %
BULB128D-1
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PDF描述
BULB39D HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR
BULD1101E-1 High voltage fast-switching NPN Power Transistor
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BULD39D-1 High Voltage Fast-Switching NPN Power Transistor
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BULB39D 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR
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BULB39DT4 制造商:STMicroelectronics 功能描述:Trans GP BJT NPN 450V 4A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R 制造商:STMicroelectronics 功能描述:HI-VOLT FAST-SWCH NPN PWR TRANSISTOR
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