參數(shù)資料
型號： BUK7609-75A
英文描述： TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 75V V(BR)DSS | 75A I(D) | TO-263AB
中文描述： 晶體管| MOSFET的| N溝道| 75V的五（巴西）直| 75A條（丁）|對263AB
文件頁數(shù)： 7/15頁
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代理商： BUK7609-75A
Philips Semiconductors
BUK75/76/7E04-40A
TrenchMOS standard level FET
Product data
Rev. 02 — 7 November 2001
7 of 15
9397 750 09059
Koninklijke Philips Electronics N.V. 2001. All rights reserved.
I
D
= 1 mA; V
DS
= V
GS
Fig 9.
Gate-source threshold voltage as a function of
junction temperature.
T
j
= 25
°
C; V
DS
= V
GS
Fig 10. Sub-threshold drain current as a function of
gate-source voltage.
T
j
= 25
°
C; V
DS
= 25 V
Fig 11. Forward transconductance as a function of
drain current; typical values.
V
GS
= 0 V; f = 1 MHz
Fig 12. Input, output and reverse transfer capacitances
as a function of drain-source voltage; typical
values.
03aa32
0
-60
1
2
3
4
5
0
60
120
180
(V)
max
min
typ
VGS(th)
Tj (oC)
03aa35
10-6
10-5
10-4
10-3
10-2
10-1
0
2
4
6
max
typ
min
VGS (V)
ID
(A)
03ne62
0
20
40
60
80
100
0
20
40
60
80
ID (A)
gfs
03ne67
0
2000
4000
6000
8000
10
-1
1
10
10
2
VDS (V)
C
(pF)
Ciss
Coss
Crss
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PDF描述
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BUK7610-100B,118 功能描述:MOSFET HIGH PERF TRENCHMOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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