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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | BUK637-400B |
| 廠商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | PowerMOS transistor Fast recovery diode FET |
| 中文描述： | 12 A, 400 V, 0.6 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 文件頁數(shù)： | 5/5頁 |
| 文件大小： | 207K |
| 代理商： | BUK637-400B |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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| BUK637-600B | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:N-Channel Enhancement MOSFET |
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