參數(shù)資料
型號(hào): BUK637-400B
廠商: NXP SEMICONDUCTORS
元件分類(lèi): JFETs
英文描述: PowerMOS transistor Fast recovery diode FET
中文描述: 12 A, 400 V, 0.6 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
文件頁(yè)數(shù): 3/5頁(yè)
文件大?。?/td> 207K
代理商: BUK637-400B
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BUK638-800 PowerMOS transistor Fast recovery diode FET
BUK638-800A PowerMOS transistor Fast recovery diode FET
BUK638-800B PowerMOS transistor Fast recovery diode FET
BUK7504-40A TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 40V V(BR)DSS | 75A I(D) | TO-220AB
BUK7509-75 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 75V V(BR)DSS | 75A I(D) | TO-220AB
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
BUK637-450B 制造商:未知廠家 制造商全稱(chēng):未知廠家 功能描述:N-Channel Enhancement MOSFET
BUK637-500A 制造商:未知廠家 制造商全稱(chēng):未知廠家 功能描述:N-Channel Enhancement MOSFET
BUK637-500C 制造商:未知廠家 制造商全稱(chēng):未知廠家 功能描述:N-Channel Enhancement MOSFET
BUK637-600A 制造商:未知廠家 制造商全稱(chēng):未知廠家 功能描述:N-Channel Enhancement MOSFET
BUK637-600B 制造商:未知廠家 制造商全稱(chēng):未知廠家 功能描述:N-Channel Enhancement MOSFET