參數(shù)資料
型號(hào)： BUK219-50Y
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 外設(shè)及接口
英文描述： PowerMOS transistor TOPFET high side switch
中文描述： BUF OR INV BASED PRPHL DRVR, PSFM5
封裝： PLASTIC, TO-220, SOT-263B-01, SEP-5
文件頁(yè)數(shù)： 7/8頁(yè)
文件大?。?/td> 48K
代理商： BUK219-50Y
Philips Semiconductors
Product Specification
PowerMOS transistor
TOPFET high side switch
BUK219-50Y
MECHANICAL DATA
Fig.4. SOT263B package
1
leadform 263B-01, pin 3 connected to mounting base.
REFERENCES
OUTLINE
VERSION
EUROPEAN
PROJECTION
ISSUE DATE
IEC
JEDEC
EIAJ
SOT263B-01
5-lead (option)
TO-220
D
D1
q
L
1
5
L3
mounting
base
L4
m
e
Q
b
0
5
10 mm
scale
Plastic single-ended package; heatsink mounted; 1 mounting hole;
5-lead TO-220 lead form option
SOT263B-01
UNIT
A1
D1
e
L
p
mm
1.7
L1
L2
q
3.0
2.7
4.5
4.1
1.39
1.27
0.85
0.70
0.7
0.4
15.8
15.2
6.4
5.9
10.3
9.7
9.8
9.7
5.9
5.3
5.2
5.0
2.4
1.6
0.8
0.6
3.8
3.6
p1
4.3
4.1
Q1
Q
2.0
4.5
Q2
8.2
R
0.5
w
0.4
DIMENSIONS (mm are the original dimensions)
A
b
D
c
0.5
L3
(1)
L4
(2)
max.
E
m
A
A1
c
Q1
Q2
Notes
1. Terminal dimensions are uncontrolled in this zone.
2. Positional accuracy of the terminals is controlled in this zone.
L1
L2
R
R
w
M
01-01-11
p
p1
E
1
Refer to mounting instructions for TO220 envelopes. Epoxy meets UL94 VO at 1/8". Net mass: 2 g
July 2001
7
Rev 2.000
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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BUK426-1000A N-Channel Enhancement MOSFET
BUK426-1000B N-Channel Enhancement MOSFET
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