參數(shù)資料
型號(hào)： BUK219-50Y
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 外設(shè)及接口
英文描述： PowerMOS transistor TOPFET high side switch
中文描述： BUF OR INV BASED PRPHL DRVR, PSFM5
封裝： PLASTIC, TO-220, SOT-263B-01, SEP-5
文件頁數(shù)： 5/8頁
文件大?。?/td> 48K
代理商： BUK219-50Y
Philips Semiconductors
Product Specification
PowerMOS transistor
TOPFET high side switch
BUK219-50Y
UNDERVOLTAGE & OVERVOLTAGE CHARACTERISTICS
Limits are at -40
C
≤
T
mb
≤
150
C and typicals at T
mb
= 25
C. Refer to
TRUTH TABLE
.
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
TYP.
MAX.
UNIT
Undervoltage
V
BG(UV)
Low supply threshold voltage
1
2
4.2
5.5
V
V
BG(UV)
Hysteresis
-
0.5
-
V
Overvoltage
V
BG(OV)
V
BG(OV)
High supply threshold voltage
2
Hysteresis
40
-
45
1
50
-
V
V
TRUTH TABLE
ABNORMAL CONDITIONS
DETECTED
SUPPLY
UV
OV
X
X
0
0
0
0
1
0
0
1
0
0
0
0
LOAD
OUTPUT
INPUT
LOAD
SC
X
0
0
X
0
1
0
STATUS
DESCRIPTION
LC
X
0
1
X
X
0
0
OT
X
0
0
X
0
X
1
L
H
H
H
H
H
H
OFF
ON
ON
OFF
OFF
OFF
OFF
H
H
L
H
H
L
L
off
on & normal
on & low current detect
supply undervoltage lockout
supply overvoltage shutdown
SC tripped
OT shutdown
3
KEY TO ABBREVIATIONS
L
logic low
H
logic high
X
don
’
t care
0
condition not present
1
condition present
UV undervoltage
OV overvoltage
LC
low current or open circuit load
SC short circuit
OT overtemperature
1
Undervoltage sensor causes the device to switch off and reset.
2
Overvoltage sensor causes the device to switch off to protect its load.
3
The status will continue to indicate OT (even if the input goes low) until the device cools below the reset threshold. Refer to
OVERLOAD
PROTECTION CHARACTERISTICS
.
July 2001
5
Rev 2.000
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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BUK416-1000BE TRANSISTOR | MOSFET POWER MODULE | INDEPENDENT | 1KV V(BR)DSS | 10.9A I(D)
BUK426-1000A N-Channel Enhancement MOSFET
BUK426-1000B N-Channel Enhancement MOSFET
BUK426-100A N-Channel Enhancement MOSFET
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參數(shù)描述
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BUK22150DY 制造商:NXP SEMI 功能描述:New
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