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參數(shù)資料
| 型號： | BUK201-50Y |
| 廠商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | 外設(shè)及接口 |
| 英文描述： | PowerMOS transistor TOPFET high side switch(功率MOS晶體管TOPFET高邊開關(guān)) |
| 中文描述： | 15 A BUF OR INV BASED PRPHL DRVR, PSFM5 |
| 封裝： | PLASTIC, TO-220, SOT-263-01, SEP-5 |
| 文件頁數(shù)： | 10/13頁 |
| 文件大?。?/td> | 123K |
| 代理商： | BUK201-50Y |
Philips Semiconductors
Product specification
PowerMOS transistor
TOPFET high side switch
BUK201-50Y
Fig.28. Typical negative load clamping voltage.
V
LG
= f(T
j
); parameter I
L
; condition V
IG
= 0 V.
Fig.29. Typical battery to load clamping voltage.
V
BL
= f(T
j
); parameter I
L
; condition I
G
= 5 mA.
Fig.30. Typical reverse battery characteristic.
I
G
= f(V
BG
); conditions I
L
= 0 A, T
j
= 25 C
Fig.31. Typical reverse diode characteristic.
I
L
= f(V
BL
); conditions V
IG
= 0 V, T
j
= 25 C
Fig.32. Typical output capacitance. T
mb
= 25 C
C
bl
= f(V
BL
); conditions f = 1 MHz, V
IG
= 0 V
Fig.33. Typical overload characteristic, T
= 25 C.
I
L
= f(V
BL
); condition V
BG
= 13 V; parameter t
p
-60
-20
20
60
Tj / C
100
140
180
VLG / V
BUK201-50Y
-22
-20
-18
-16
-14
-12
-10
7.5 A
1 mA
IL =
tp = 300 us
-1.2
-1
-0.8
-0.6
-0.4
-0.2
0
-40
-30
-20
-10
0
BUK201-50Y
VLB / V
IL / A
-60
-20
20
60
Tj / C
100
140
180
VBL / V
BUK201-50Y
65
60
55
50
100 uA
1 mA
4 A
IL =
tp = 300 us
0
10
20
30
40
50
100 pF
1 nF
10 nF
BUK201-50Y
VBL / V
Cbl
-20
-10
0
VBG / V
IG / mA
BUK201-50Y
0
-50
-100
-150
-15
-5
0
5
10
15
20
25
0
10
20
30
40
50
60
BUK201-50Y
VBL / V
IL / A
VBL(TO) typ.
tp =
300 us
current limiting
i.e. before short
circuit load trip
50 us
July 1996
10
Rev 1.000
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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參數(shù)描述 |
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