參數(shù)資料
型號： BUK127-50DL
英文描述： TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 50V V(BR)DSS | 700MA I(D) | SOT-223
中文描述： 晶體管| MOSFET的| N溝道| 50V五（巴西）直| 700mA的一（d）|的SOT - 223
文件頁數(shù)： 8/11頁
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代理商： BUK127-50DL
Philips Semiconductors
Product specification
PowerMOS transistor
Logic level TOPFET
BUK127-50DL
Fig.19. Transient thermal impedance, mounted on SOT223 PCB.
Z
th j-a
= f(t); parameter D = t
p
/ T
BUK127-50DL
Zth j-amb / (K / W)
D =
0.5
1E-01
1E+01
1E+03
1E-07
1E-05
1E-03
t / s
0.2
0.1
0.05
0.02
0
1E+02
1E+01
1E-01
1E-02
D =
t
p
t
p
T
T
P
t
D
1
October 2001
8
Rev 1.011
相關PDF資料
PDF描述
BUK130-50DL Logic level TOPFET SMD version of BUK119-50DL
BUK148-50DL TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 50V V(BR)DSS | 8A I(D) | TO-220VAR
BUK200-50X_1 PowerMOS transistor TOPFET high side switch(功率MOS晶體管TOPFET高邊開關)
BUK200-50X PowerMOS transistor TOPFET high side switch
BUK200-50Y PowerMOS transistor TOPFET high side switch(功率MOS晶體管TOPFET高邊開關)
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
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BUK127-50DL,115 功能描述:MOSFET TAPE-7 TOPFET2 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
BUK127-50GT 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:PowerMOS transistor Logic level TOPFET
BUK127-50GT T/R 功能描述:MOSFET TAPE-7 PWR-MOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
BUK127-50GT,115 功能描述:MOSFET TAPE-7 PWR-MOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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