參數(shù)資料
型號： BUK116-50S
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 外設(shè)及接口
英文描述： Logic level TOPFET SMD version of BUK106-50L/S(BUK106-50L/S版本的邏輯電平TOPFET)
中文描述： BUF OR INV BASED PRPHL DRVR, PSSO5
封裝： SOT-426, 5 PIN
文件頁數(shù)： 9/13頁
文件大小： 138K
代理商： BUK116-50S
Philips Semiconductors
Product specification
Logic level TOPFET
SMD version of BUK106-50L/S
BUK116-50L/S
Fig.16. Maximum drain source supply voltage for
SC load protection. V
DDP(P)
= f(V
IS
); T
mb
≤
150 C
Fig.17. Minimum protection supply voltage
for SC load protection. V
PSP
= f(V
IS
); T
mb
≥
25 C
Fig.18. Typical overload protection characteristics.
t
d sc
= f(P
DS
); conditions: V
PS
≥
V
PSP
; V
IS
≥
5 V
Fig.19. Typical overload protection characteristics.
Conditions: V
DD
= 13 V; V
PS
= V
PSN
, V
IS
= 8 V; SC load
Fig.20. Typical overload protection energy, T
= 25 C
E
SC(TO)
= f(V
PS
); conditions: V
DS
= 13 V, parameter V
IS
Fig.21. Typical clamping characteristics, 25 C.
I
D
= f(V
DS
); conditions: R
IS
= 100
; t
p
≤
50
μ
s
0
2
4
6
8
10
VIS / V
VDDP(P) / V
BUK116-50L/S
50
40
30
20
10
0
max
-60
-20
20
60
100
140
180
220
Tmb / C
BUK116-50L/S
1.0
0
Energy / J
Time / ms
Tj(TO)
Energy & Time
0.8
0.6
0.4
0.2
0
2
4
6
8
10
VIS / V
VPSP / V
BUK116-50L/S
10
8
6
4
2
0
min
BUK116-50L
BUK116-50S
0
2
4
6
8
10
VPS / V
ESC(TO) / J
BUK116-50L/S
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
BUK116-50L
BUK116-50S
VIS / V =
10
5
5
10
0.1
1
10
PD / kW
td sc / ms
BUK116-50L/S
10
1
0.1
0.01
PDSM
50
60
70
VDS / V
ID / A
BUK116-50L/S
50
40
30
20
10
0
typ.
July 1996
9
Rev 1.000
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BUK127-50DL PowerMOS transistor Logic level TOPFET(功率MOS場效應(yīng)管邏輯電平TOPFET)
BUK127-50DL TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 50V V(BR)DSS | 700MA I(D) | SOT-223
BUK130-50DL Logic level TOPFET SMD version of BUK119-50DL
BUK148-50DL TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 50V V(BR)DSS | 8A I(D) | TO-220VAR
BUK200-50X_1 PowerMOS transistor TOPFET high side switch(功率MOS晶體管TOPFET高邊開關(guān))
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
BUK117-50DL 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:PowerMOS transistor Logic level TOPFET
BUK117-50DL,127 功能描述:MOSFET N-CH 50V 12A SOT78B RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> PMIC - MOSFET，電橋驅(qū)動器 - 內(nèi)部開關(guān) 系列:TOPFET™ 標準包裝:1,000 系列:- 類型:高端/低端驅(qū)動器 輸入類型:SPI 輸出數(shù):8 導(dǎo)通狀態(tài)電阻:850 毫歐，1.6 歐姆 電流 - 輸出 / 通道:205mA，410mA 電流 - 峰值輸出:500mA，1A 電源電壓:9 V ~ 16 V 工作溫度:-40°C ~ 150°C 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:20-SOIC（0.295"，7.50mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PG-DSO-20-45 包裝:帶卷 (TR)
BUK118-50DL 功能描述:MOSFET RAIL TOPFET2 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
BUK118-50DL,127 功能描述:MOSFET BUK118-50DL/SOT78/RAILH// RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
BUK119-50DL 功能描述:MOSFET RAIL TOPFET2 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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