參數(shù)資料
型號： BUK116-50S
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 外設(shè)及接口
英文描述： Logic level TOPFET SMD version of BUK106-50L/S(BUK106-50L/S版本的邏輯電平TOPFET)
中文描述： BUF OR INV BASED PRPHL DRVR, PSSO5
封裝： SOT-426, 5 PIN
文件頁數(shù)： 10/13頁
文件大?。?/td> 138K
代理商： BUK116-50S
Philips Semiconductors
Product specification
Logic level TOPFET
SMD version of BUK106-50L/S
BUK116-50L/S
Fig.22. Input threshold voltage.
V
IS(TO)
= f(T
j
); conditions: I
D
= 1 mA; V
DS
= 5 V
Fig.23. Typical DC protection supply characteristics.
I
PS
= f(V
PS
); normal or overload operation; T
j
= 25 C
Fig.24. Typical latched input characteristics, 25 C.
I
ISL
= f(V
IS
); after overload protection latched
Fig.25. Typical reverse diode current, T
= 25 C.
I
S
= f(V
SDS
); conditions: V
IS
= 0 V; t
p
= 250
μ
s
Fig.26. Normalised limiting clamping energy.
E
DSM
% = f(T
mb
); conditions: I
D
= 27 A
Fig.27. Clamping energy test circuit, R
IS
= 100
.
E
DSM
=
0.5
LI
D
-60
-40
-20
0
20
40
Tj / C
60
80
100
120
140
VIS(TO) / V
2
1
0
max.
typ.
min.
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
1.8
2
VSD / V
IS / A
BUK116-50L/S
200
150
100
50
0
0
2
4
6
8
10
12
14
BUK116-50L/S
VPS / V
IPS / mA
1.0
0.5
0
0
20
40
60
80
100
120
140
Tmb / C
EDSM%
120
110
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
0
2
4
6
8
10
VIS / V
IISL / mA
BUK116-50L/S
100
50
0
4
5
6
7
8
9
VPS / V = 11
150
10
L
D.U.T.
VDD
RI = RIS
R 01
shunt
VDS
-ID/100
+
-
VIS
0
ID
0
VDS
0
VDD
V(CL)DSR
D
S
I
TOPFET
P
F
P
RF
VPS
+
2
V
(
CL
)
DSR
/(
V
(
CL
)
DSR
V
DD
)
July 1996
10
Rev 1.000
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BUK127-50DL PowerMOS transistor Logic level TOPFET(功率MOS場效應(yīng)管邏輯電平TOPFET)
BUK127-50DL TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 50V V(BR)DSS | 700MA I(D) | SOT-223
BUK130-50DL Logic level TOPFET SMD version of BUK119-50DL
BUK148-50DL TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 50V V(BR)DSS | 8A I(D) | TO-220VAR
BUK200-50X_1 PowerMOS transistor TOPFET high side switch(功率MOS晶體管TOPFET高邊開關(guān))
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
BUK117-50DL 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:PowerMOS transistor Logic level TOPFET
BUK117-50DL,127 功能描述:MOSFET N-CH 50V 12A SOT78B RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> PMIC - MOSFET，電橋驅(qū)動器 - 內(nèi)部開關(guān) 系列:TOPFET™ 標準包裝:1,000 系列:- 類型:高端/低端驅(qū)動器 輸入類型:SPI 輸出數(shù):8 導(dǎo)通狀態(tài)電阻:850 毫歐，1.6 歐姆 電流 - 輸出 / 通道:205mA，410mA 電流 - 峰值輸出:500mA，1A 電源電壓:9 V ~ 16 V 工作溫度:-40°C ~ 150°C 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:20-SOIC（0.295"，7.50mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PG-DSO-20-45 包裝:帶卷 (TR)
BUK118-50DL 功能描述:MOSFET RAIL TOPFET2 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
BUK118-50DL,127 功能描述:MOSFET BUK118-50DL/SOT78/RAILH// RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
BUK119-50DL 功能描述:MOSFET RAIL TOPFET2 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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