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參數(shù)資料
| 型號： | BUK109-50GL |
| 英文描述： | N-Channel Enhancement MOSFET |
| 中文描述： | N溝道MOSFET的增強 |
| 文件頁數(shù)： | 10/11頁 |
| 文件大小： | 494K |
| 代理商： | BUK109-50GL |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BUK109-50GS | PowerMOS transistor TOPFET |
| BUK106-50SP | PowerMOS transistor Logic level TOPFET(功率MOS晶體管邏輯電平TOPFET) |
| BUK107-50DL | PowerMOS transistor Logic level TOPFET(功率MOS晶體管邏輯電平TOPFET) |
| BUK107-50DS | PowerMOS transistor Logic level TOPFET(功率MOS晶體管邏輯電平TOPEFT) |
| BUK108-50DL | PowerMOS transistor Logic level TOPFET(功率MOS晶體管邏輯電平TOPFET) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| BUK109-50GS | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:PowerMOS transistor TOPFET |
| BUK110-50DL | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:PowerMOS transistor Logic level TOPFET |
| BUK110-50GL | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:PowerMOS transistor Logic level TOPFET |
| BUK110-50GL /T3 | 功能描述:MOSFET TAPE13 TOPFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| BUK110-50GL,118 | 功能描述:MOSFET TAPE13 TOPFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
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