參數(shù)資料
型號: BUK101-50
廠商: NXP Semiconductors N.V.
英文描述: PowerMOS transistor Logic level TOPFET
中文描述: PowerMOS晶體管邏輯電平TOPFET
文件頁數(shù): 9/10頁
文件大小: 89K
代理商: BUK101-50
Philips Semiconductors
Product specification
PowerMOS transistor
Logic level TOPFET
BUK101-50DL
MECHANICAL DATA
Dimensions in mm
Net Mass: 2 g
Fig.22. TO220AB; pin 2 connected to mounting base.
Notes
1. Refer to mounting instructions for TO220 envelopes.
2. Epoxy meets UL94 V0 at 1/8".
10,3
max
3,7
2,8
3,0
3,0 max
not tinned
1,3
max
(2x)
1 2 3
2,4
0,6
4,5
max
5,9
min
15,8
max
1,3
2,54 2,54
0,9 max (3x)
13,5
min
April 1993
9
Rev 1.100
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BUK105-50L N-Channel Enhancement MOSFET
BUK105-50LP TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 50V V(BR)DSS | 26A I(D) | SOT-263
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BUK105-50SP TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 50V V(BR)DSS | 26A I(D) | SOT-263
BUK106-50LS Output Stage
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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BUK101-50GL,127 功能描述:MOSFET RAIL TOPFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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