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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | BUJ103 |
| 廠商： | NXP Semiconductors N.V. |
| 英文描述： | Silicon Diffused Power Transistor |
| 中文描述： | 擴(kuò)散硅功率晶體管 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 6/12頁(yè) |
| 文件大小： | 103K |
| 代理商： | BUJ103 |
August 1998
5
Rev 1.000
Philips Semiconductors
Product specification
Silicon Diffused Power Transistor
BUJ103A
Fig.13. Reverse
bias safe operating area T
j
≤
T
jmax
Fig.14. Test Circuit for reverse
bias safe operating
area.
V
cl
≤
1000V; V
cc
= 150V; V
BB
= -5V; L
B
= 1
μ
H;
L
c
= 200
μ
Fig.15. Forward bias safe operating area. T
hs
≤
25 C
(1)
(2)
I
II
III
P
max and P
peak max lines.
Second breakdown limits.
Region of permissible DC operation.
Extension for repetitive pulse operation.
Extension during turn-on in single
transistor converters provided that
R
≤
100
and t
≤
0.6
μ
s.
Mounted with heatsink compound and
30
±
5 newton force on the centre of the
envelope.
NB:
0
100
200
300
400
500
600
700
800
900
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
VCEclamp (V)
IC (A)
1
10
100
1,000
0.001
0.01
0.1
1
10
100
VCEclamp (V)
IC (A)
Icm max
Ic max
I
II
III
(1)
(2)
Duty Cycle = 0.01
tp =
20us
50us
100us
200us
500us
DC
LB
IBon
-VBB
LC
T.U.T.
VCC
VCL
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