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參數(shù)資料
| 型號： | BUJ100 |
| 廠商： | NXP Semiconductors N.V. |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | NPN power transistor |
| 封裝： | BUJ100<SOT54 (TO-92)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT54.html<1<week 5, 2005,;BUJ100<SOT54 (TO-92)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT54.html<1<week 5, 2005,; |
| 文件頁數(shù)： | 1/10頁 |
| 文件大小： | 142K |
| 代理商： | BUJ100 |
DATA SHEET
Product
s
pecification
September 1999
DISCRETE SEMICONDUCTORS
BUJ100
Silicon Diffused Power Transistor
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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參數(shù)描述 |
|---|---|
| BUJ100,126 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT Trans GP BJT NPN 400V 1A 3-Pin SPT RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| BUJ100,412 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT Trans GP BJT NPN 400V 1A 3-Pin SPT RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| buj100412 | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述: |
| BUJ100AT | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:Silicon Diffused Power Transistor |
| BUJ100B | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 350V V(BR)CEO | 1A I(C) | TO-92 |
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