參數(shù)資料
型號： BUH515D
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： High Voltage Fast-Switching NPN Power Transistor(高電壓快速開關(guān)NPN功率晶體管)
中文描述： 高壓快速NPN電源開關(guān)晶體管（高電壓快速開關(guān)npn型功率晶體管）
文件頁數(shù)： 1/7頁
文件大?。?/td> 84K
代理商： BUH515D
BUH515D
HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING
NPN POWER TRANSISTOR
I
SGS-THOMSON PREFERRED SALESTYPE
I
HIGH VOLTAGECAPABILITY
I
U.L.RECOGNISED ISOWATT218 PACKAGE
(U.L. FILE # E81734(N))
I
NPN TRANSISTOR WITH INTEGRATED
FREEWHEELING DIODE
APPLICATIONS:
I
HORIZONTAL DEFLECTION FOR COLOUR
TV
DESCRIPTION
The
BUH515D
Multiepitaxial Mesa technology for cost-effective
high performance and uses a Hollow Emitter
structureto enhance switching speeds.
The BUH series is designed for use in horizontal
deflectioncircuits in televisionsand monitors.
is
manufactured
using
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM
June 1997
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
Symbol
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
I
BM
P
tot
T
stg
T
j
Parameter
Value
1500
700
5
8
15
5
8
50
-65 to 150
150
Unit
V
V
V
A
A
A
A
W
o
C
o
C
Collector-Base Voltage (I
E
= 0)
Collector-Emitter Voltage (I
B
= 0)
Emitter-Base Voltage (I
C
= 0)
Collector Current
Collector Peak Current (t
p
< 5 ms)
Base Current
Base Peak Current (t
p
< 5 ms)
Total Dissipation at T
c
= 25
o
C
Storage Temperature
Max. Operating Junction Temperature
1
2
3
ISOWATT218
R Typ. = 12
1/7
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PDF描述
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BUH517 制造商:STMicroelectronics 功能描述:TRANSISTOR NPN ISOWATT-218
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BUH51G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 3A 800V 50W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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