參數(shù)資料
型號(hào)： BUH417
英文描述： TRANSISTOR | BJT | NPN | 700V V(BR)CEO | 7A I(C) | TO-218
中文描述： 晶體管|晶體管|叩| 700V的五（巴西）總裁| 7A條一（c）|至218
文件頁(yè)數(shù)： 4/5頁(yè)
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代理商： BUH417
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BUH513 TRANSISTOR | BJT | NPN | 700V V(BR)CEO | 8A I(C) | TO-218VAR
BUH515FP TRANSISTOR | BJT | NPN | 700V V(BR)CEO | 8A I(C) | TO-220FP
BUH615 TRANSISTOR | BJT | NPN | 700V V(BR)CEO | 8A I(C) | TO-218VAR
BUH713 TRANSISTOR | BJT | NPN | 700V V(BR)CEO | 10A I(C) | TO-218VAR
BUJ100B TRANSISTOR | BJT | NPN | 350V V(BR)CEO | 1A I(C) | TO-92
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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BUH50/D 制造商:未知廠家 制造商全稱(chēng):未知廠家 功能描述:SWITCHMODE? NPN Silicon Planar Power Transistor
BUH50G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 4A 500V 50W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BUH51 功能描述:兩極晶體管 - BJT 3A 800V 50W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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