參數(shù)資料
型號(hào)： BUH315
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： High Voltage Fast-Switching NPN Power Transistor(高電壓快速開關(guān)NPN功率晶體管)
中文描述： 高壓快速NPN電源開關(guān)晶體管（高電壓快速開關(guān)npn型功率晶體管）
文件頁數(shù)： 2/7頁
文件大小： 93K
代理商： BUH315
THERMAL DATA
R
thj-case
Thermal Resistance Junction-case
Max
2.8
o
C/W
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
case
= 25
o
C unlessotherwise specified)
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
μ
A
I
CES
Collector Cut-off
Current (V
BE
= 0)
Emitter Cut-off Current
(I
C
= 0)
Collector-Emitter
Sustaining Voltage
Emitter-Base Voltage
(I
C
= 0)
Collector-Emitter
Saturation Voltage
Base-Emitter
Saturation Voltage
DC Current Gain
V
CE
= 1500 V
200
I
EBO
V
EB
= 5 V
100
μ
A
V
CEO(sus)
I
C
= 100 mA
700
V
V
EBO
I
E
= 10 mA
10
V
V
CE(sat)
I
C
= 3 A
I
B
= 0.75 A
1.5
V
V
BE(sat)
I
C
= 3 A
I
B
= 0.75 A
1.3
V
h
FE
I
C
= 3 A
I
C
= 3 A
V
CC
= 400 V
I
B1
= 0.75 A
V
CE
= 5 V
V
CE
= 5 V
I
C
= 3 A
I
B2
= 1.5 A
T
j
= 100
o
C
6
3.5
12
t
s
t
f
RESISTIVE LOAD
Storage Time
Fall Time
1.6
110
2.4
200
μ
s
ns
t
s
t
f
INDUCTIVE LOAD
Storage Time
Fall Time
I
C
= 3 A
I
B1
= 0.75 A
V
ceflyback
= 1050 sin
f = 15625 Hz
I
B2
= -1.5 A
π
510
6
t
V
3.5
340
μ
s
ns
t
s
t
f
INDUCTIVE LOAD
Storage Time
Fall Time
I
C
= 3 A
I
B1
= 0.75 A
V
ceflyback
= 1200 sin
f = 31250 Hz
I
B2
= -1.5 A
π
510
6
t
V
3.5
270
μ
s
ns
Pulsed: Pulse duration = 300
μ
s, duty cycle 1.5 %
Safe OperatingArea
Thermal Impedance
BUH315
2/7
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PDF描述
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