參數(shù)資料
型號： BUD600-SMD
英文描述： Silicon NPN Hugh Voltage Switching Transistor
中文描述： 硅npn型休電壓開關(guān)晶體管
文件頁數(shù)： 5/9頁
文件大小： 167K
代理商： BUD600-SMD
BUD600
TELEFUNKEN Semiconductors
Rev. B2, 18-Jul-97
5 (9)
Typical Characteristics
(T
case
= 25 C unless otherwise specified)
0
100
200
300
0
0.5
1.0
1.5
2.0
3.0
C
V
CE
– Collector Emitter Voltage ( V )
400
95 10482
2.5
V
CEsat
< 2V
I
0.1 x I
C
< I
B2
< 0.5 x I
C
Figure 4. V
CEW
– Diagram
0
2
4
6
8
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
10
95 10487
I
C
V
CE
– Collector Emitter Voltage ( V )
I
B
= 190 mA
150 mA
88 mA
49 mA
24 mA
Figure 5. I
C
vs. V
CE
0.01
0.1
1
1
10
100
h
F
I
C
– Collector Current ( A )
10
95 10484
10V
5V
V
CE
= 2V
Figure 6. h
FE
vs. I
C
0
25
50
75
100
0.01
0.1
1
10
100
P
t
T
case
– Case Temperature (
°
C )
150
95 10483
125
R
thJA
= 7.5 K/W
12.5 K/W
135 K/W
25 K/W
50 K/W
Figure 7. P
tot
vs.T
case
0.001
0.01
0.1
0.01
0.1
1
10
V
C
I
B
– Base Current ( A )
1
95 10486
1.5 A
1.0 A
0.6 A
0.4 A
I
C
= 0.2 A
Figure 8. V
CEsat
vs. I
B
95 10485
0.01
0.1
1
1
10
100
h
F
I
C
– Collector Current ( A )
10
Tj = 125
°
C
75
°
C
25
°
C
Figure 9. h
FE
vs. I
C
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