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參數(shù)資料
| 型號： | BU508AW |
| 廠商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | Silicon Diffused Power Transistor(硅擴(kuò)散功率型晶體管) |
| 中文描述： | 8 A, 700 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-247 |
| 封裝： | PLASTIC, SOT-429, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 3/6頁 |
| 文件大?。?/td> | 72K |
| 代理商： | BU508AW |
Philips Semiconductors
Product specification
Silicon Diffused Power Transistor
BU508AW
Fig.3. Switching times waveforms.
Fig.4. Switching times definitions.
Fig.5. Switching times test circuit
Fig.6. Typical DC current gain. h
FE
= f (I
C
)
parameter V
CE
Fig.7. Typical collector-emitter saturation voltage.
V
CE
sat = f (I
C
); parameter I
C
/I
B
Fig.8. Typical base-emitter saturation voltage.
V
BE
sat = f (I
B
); parameter I
C
IC
IB
VCE
ICsat
IBend
64us
26us
20us
t
t
t
TRANSISTOR
DIODE
0.1
10
1
10
100
I1
h
FE
BU508AD
ICsat
90 %
10 %
tf
ts
IBend
IC
IB
t
t
- IBM
BU508AD
0.1
1
10
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
IC / A
VCESAT / V
0.1
0.3
0.5
0.7
0.9
+ 150 v nominal
adjust for ICsat
1mH
BY228
12nF
D.U.T.
LB
IBend
-VBB
0
1
2
3
4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
IC = 6A
IC = 4.5A
IC = 3A
IB / A
VBESAT / V
BU508AD
July 1998
3
Rev 1.200
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BU508AX | Silicon Diffused Power Transistor |
| BU508DF | Silicon Diffused Power Transistor(硅擴(kuò)散功率型晶體管) |
| BU508DW | Silicon Diffused Power Transistor(硅擴(kuò)散功率型晶體管) |
| BU508DX | Silicon Diffused Power Transistor |
| BU522 | TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | NPN | 350V V(BR)CEO | 7A I(C) | TO-220AB |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| BU508AW | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:TRANSISTOR NPN SOT-249 |
| BU508AW_0708 | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:High voltage NPN power transistor for standard definition CRT display |
| BU508AX | 制造商:ISC 制造商全稱:Inchange Semiconductor Company Limited 功能描述:Silicon NPN Power Transistors |
| BU508D | 制造商:SPC Multicomp 功能描述:TRANSISTOR NPN TO-247 制造商:Distributed By MCM 功能描述:SUB ONLY TRANSISTOR SOT-93A NP 1500V 8A 125W BCEC |
| BU508D | 制造商:SPC Multicomp 功能描述:TRANSISTOR NPN TO-247 |
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