型號: | BU508AF |
廠商: | NXP SEMICONDUCTORS |
元件分類: | 功率晶體管 |
英文描述: | Silicon Diffused Power Transistor(硅擴(kuò)散功率型晶體管) |
中文描述: | 8 A, 700 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
封裝: | PLASTIC, SOT-199, 3 PIN |
文件頁數(shù): | 6/7頁 |
文件大小: | 61K |
代理商: | BU508AF |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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BU508AW | Silicon Diffused Power Transistor(硅擴(kuò)散功率型晶體管) |
BU508AX | Silicon Diffused Power Transistor |
BU508DF | Silicon Diffused Power Transistor(硅擴(kuò)散功率型晶體管) |
BU508DW | Silicon Diffused Power Transistor(硅擴(kuò)散功率型晶體管) |
BU508DX | Silicon Diffused Power Transistor |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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BU508AF | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:TRANSISTOR NPN SOT-199 |
BU508AF/B | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR HOCHSPANNUNG BIPOLAR |
BU508AF_0708 | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:High voltage NPN power transistor for standard definition CRT display |
BU508AFI | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
BU508AFTBTU | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Triple Diffused Planar Silicon RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |