參數(shù)資料
型號(hào)： BU4525DX
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類(lèi)： 功率晶體管
英文描述： Silicon Diffused Power Transistor
中文描述： 12 A, 800 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
封裝： PLASTIC, SOT-399, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 1/4頁(yè)
文件大?。?/td> 22K
代理商： BU4525DX
Philips Semiconductors
Objective specification
Silicon Diffused Power Transistor
BU4525DX
GENERAL DESCRIPTION
Enhanced performance, new generation, high-voltage, high-speed switching npn transistor in a plastic full-pack
envelope with an integrated damper diode intended for use in horizontal deflection circuits of colour television
receivers and p.c monitors. Features exceptional tolerance to base drive and collector current load variations
resulting in a very low worst case dissipation.
QUICK REFERENCE DATA
SYMBOL
V
CESM
V
CEO
I
C
I
CM
P
tot
V
CEsat
I
Csat
PARAMETER
Collector-emitter voltage peak value
Collector-emitter voltage (open base)
Collector current (DC)
Collector current peak value
Total power dissipation
Collector-emitter saturation voltage
Collector saturation current
CONDITIONS
V
BE
= 0 V
TYP.
-
-
-
-
-
-
9.0
t.b.f
-
0.4
t.b.f
MAX.
1500
800
12
30
45
3.0
-
-
2.2
0.55
t.b.f
UNIT
V
V
A
A
W
V
A
A
V
μ
s
μ
s
T
hs
≤
25 C
I
= 9.0 A; I
B
= 2.25 A
f = 16 kHz
f = 70 kHz
I
F
= 9.0 A
I
= 9.0 A;f = 16 kHz
f = 70 kHz
V
F
t
f
Diode forward voltage
Fall time
PINNING - SOT399
PIN CONFIGURATION
SYMBOL
PIN
DESCRIPTION
1
base
2
collector
3
emitter
case isolated
LIMITING VALUES
Limiting values in accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 134)
SYMBOL
PARAMETER
V
CESM
Collector-emitter voltage peak value
V
CEO
Collector-emitter voltage (open base)
I
C
Collector current (DC)
I
CM
Collector current peak value
I
B
Base current (DC)
I
BM
Base current peak value
-I
BM
Reverse base current peak value
1
P
tot
Total power dissipation
T
stg
Storage temperature
T
j
Junction temperature
CONDITIONS
V
BE
= 0 V
MIN.
-
-
-
-
-
-
-
-
-55
-
MAX.
1500
800
12
30
8
12
7
45
150
150
UNIT
V
V
A
A
A
A
A
W
C
C
T
hs
≤
25 C
case
1 2 3
b
c
e
Rbe
1
Turn-off current.
July 1998
1
Rev 1.000
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BU4530AL Silicon Diffused Power Transistor(硅擴(kuò)散功率型晶體管)
BU4530AW Silicon Diffused Power Transistor(硅功率擴(kuò)散晶體管)
BU4530AX Silicon Diffused Power Transistor
BU4540AW Silicon Diffused Power Transistor
BU4540 Silicon Diffused Power Transistor
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
BU4528 制造商:ROHM 制造商全稱(chēng):Rohm 功能描述:Dual monostable multivibrator
BU4528B 功能描述:IC MULTIVIBRATOR MONOSTBLE 16DIP RoHS:是 類(lèi)別:集成電路 (IC) >> 邏輯 - 多頻振蕩器 系列:4000B 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:4000B 邏輯類(lèi)型:單穩(wěn)態(tài) 獨(dú)立電路:2 施密特觸發(fā)器輸入:無(wú) 傳輸延遲:100ns 輸出電流高，低:8.8mA，8.8mA 電源電壓:3 V ~ 15 V 工作溫度:-55°C ~ 125°C 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:16-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:16-SOIC 包裝:Digi-Reel® 其它名稱(chēng):CD4538BCMXDKR
BU4528B/BF 制造商:ROHM 制造商全稱(chēng):Rohm 功能描述:Standard LSIs
BU4528BF 制造商:ROHM 制造商全稱(chēng):Rohm 功能描述:Dual monostable multivibrator
BU4528BF-E2 功能描述:IC MULTIVIBRATOR MONOSTBLE 16SOP RoHS:是 類(lèi)別:集成電路 (IC) >> 邏輯 - 多頻振蕩器 系列:4000B 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:4000B 邏輯類(lèi)型:單穩(wěn)態(tài) 獨(dú)立電路:2 施密特觸發(fā)器輸入:無(wú) 傳輸延遲:100ns 輸出電流高，低:8.8mA，8.8mA 電源電壓:3 V ~ 15 V 工作溫度:-55°C ~ 125°C 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:16-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:16-SOIC 包裝:Digi-Reel® 其它名稱(chēng):CD4538BCMXDKR
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購(gòu)需求

(若只采購(gòu)一條型號(hào)，填寫(xiě)一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

*型號(hào) *數(shù)量 廠商 批號(hào) 封裝
添加更多采購(gòu)

我的聯(lián)系方式

*
*
*