參數(shù)資料
型號： BU4508HG
廠商： NXP Semiconductors N.V.
英文描述： Silicon Diffused Power Transistor(硅擴散功率型晶體管)
中文描述： 擴散硅功率晶體管（硅擴散功率型晶體管）
文件頁數(shù)： 5/12頁
文件大小： 92K
代理商： BU4508HG
June 1998
4
Rev 1.000
Philips Semiconductors
Product specification
Silicon Diffused Power Transistor
BU4508AF
Fig.7. High and low DC current gain.
Fig.8. Typical collector-emitter saturation voltage.
Fig.9. Typical base-emitter saturation voltage.
Fig.10. Typical collector storage and fall time.
I
C
=5 A; T
j
= 85C; f = 16kHz
Fig.11. Normalised power dissipation.
PD% = 100
P
D
/P
D 25C
Fig.12. Transient thermal impedance.
0.001
0.01
0.1
1
10
1
10
100
hFE
IC / A
VCE = 5V
Ths = 25 C
Ths = 85 C
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
0
2
4
6
8
10
ts/tf / us
IB / A
ts
tf
ICsat = 5 A
Ths = 85 C
Freq = 16 kHz
0.1
1
10
100
0.01
0.1
1
10
Ths = 25 C
Ths = 85 C
IC/IB = 5
BU4508AF/X/Z
IC / A
VCEsat / V
0
20
40
60
80
100
120
140
Ths / C
PD%
Normalised Power Derating
120
110
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
with heatsink compound
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
0.6
0.7
0.8
0.9
1
1.1
1.2
IC = 5 A
IC = 4 A
VBEsat / V
IB / A
Ths = 25 C
Ths = 85 C
BU4508AF/X/Z
1.0E-07
1.0E-05
1.0E-03
t / s
1.0E-01
1.0E+01
0.001
0.01
0.1
1
10
0
0.2
0.1
0.05
0.02
0.5
BU4508AF
Zth K/W
D =
t
p
t
p
T
T
P
D
t
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PDF描述
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BU4515DX Silicon Diffused Power Transistor
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