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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | BU2530AW |
| 廠商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | Silicon Diffused Power Transistor(硅擴(kuò)散功率型晶體管) |
| 中文描述： | 16 A, 800 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-247 |
| 封裝： | PLASTIC, SOT-429, 3 PIN |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 4/6頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 69K |
| 代理商： | BU2530AW |
Philips Semiconductors
Product specification
Silicon Diffused Power Transistor
BU2530AW
Fig.9. Typical collector storage and fall time.
ts = f (I
B
); tf = f (I
B
); parameter I
C
; T
j
= 85C; f = 32 kHz
Fig.10. Normalised power dissipation.
PD% = 100
P
D
/P
D 25C
= f (T
mb
)
Fig.11. Transient thermal impedance.
Z
th j-mb
= f(t); parameter D = t
p
/T
Fig.12. Test Circuit RBSOA. V
CC
= 150 V;
-V
BB
= 1 - 5 V;
L
C
= 1.5 mH; V
= 1450 V; L
= 1 - 3
μ
H;
C
FB
= 1 - 10 nF; I
B(end)
= 1.3 - 2.6 A
Fig.13. Reverse bias safe operating area. T
j
≤
T
jmax
0
1
2
3
4
0
2
4
6
8
10
ts/tf / us
BU2530AL
IB / A
LB
IBend
-VBB
LC
T.U.T.
VCC
VCL
CFB
0
20
40
60
80
100
120
140
Tmb / C
PD%
Normalised Power Derating
120
110
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
BU2530/32AL
100
1000
1500
0
10
20
30
40
IC / A
VCE / V
Area where
fails occur
1.0E-06
1E-04
1E-02
1E+00
0.001
0.01
0.1
1
10
0.2
0.1
0.05
0.02
0.5
D = 0
Zth / K/W
BU2530AL/32AL
t / s
D =
t
p
t
p
T
T
P
D
t
September 1997
4
Rev 1.000
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BU2532AL | Silicon Diffused Power Transistor |
| BU2532AW | Silicon Diffused Power Transistor(硅擴(kuò)散功率型晶體管) |
| BU2614F | Consumer IC |
| BU2615F | Consumer IC |
| BU2619 | Consumer IC |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| BU2532AL | 制造商:ISC 制造商全稱:Inchange Semiconductor Company Limited 功能描述:isc Silicon NPN Power Transistor |
| BU2532AW | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:TRANSISTOR NPN TO-247 |
| BU2532AW | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:TRANSISTOR NPN TO-247 |
| BU2532AW/B | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:TRANSISTOR POWER TO-247 |
| BU-25C | 功能描述:測(cè)試電夾 3" COPPER CLIP RoHS:否 制造商:Pomona Electronics 類型:Minigrabber clip 顏色:Black |
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