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參數(shù)資料
| 型號： | BU2527DX |
| 廠商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | Silicon Diffused Power Transistor(硅擴散功率型晶體管) |
| 中文描述： | 12 A, 800 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 封裝： | PLASTIC, SOT-399, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 3/7頁 |
| 文件大小： | 83K |
| 代理商： | BU2527DX |
Philips Semiconductors
Product specification
Silicon Diffused Power Transistor
BU2527DX
Fig.1. Switching times waveforms.
Fig.2. Switching times definitions.
Fig.3. Definition of anti-parallel diode V
fr
and t
fr
Fig.4. Switching times test circuit
Fig.5. Test Circuit RBSOA. V
= 140 V; -V
BB
= 4 V;
L
C
= 100 - 200
μ
H; V
≤
1500 V; L
= 3
H;
C
FB
= 1 - 2.2 nF; I
B
(end) = 1 - 2 A
Fig.6. Typical DC current gain. h
FE
= f (I
C
)
parameter V
CE
CE
ICsat
B
16 us
6.5 us
5 us
t
t
t
TRANSISTOR
DIODE
IC
IB
+ 150 v nominal
adjust for ICsat
Lc
Cfb
D.U.T.
LB
IBend
-VBB
Rbe
LB
IBend
-VBB
LC
T.U.T.
VCC
VCL
CFB
Rbe
ICsat
90 %
10 %
tf
ts
IBend
IC
IB
t
t
- IBM
time
time
VF
Vfr
VF
IF
fr
t
10%
5 V
IF
BU2525DF
0.1
1
10
100
1
10
100
hFE
IC / A
5 V
1V
Tj = 25 C
Tj = 125 C
September 1997
3
Rev 1.200
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PDF描述 |
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