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參數(shù)資料
| 型號： | BU2527AX |
| 廠商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | Silicon Diffused Power Transistor(硅擴(kuò)散功率型晶體管) |
| 中文描述： | 12 A, 800 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 封裝： | PLASTIC PACKAGE-3 |
| 文件頁數(shù)： | 3/7頁 |
| 文件大?。?/td> | 72K |
| 代理商： | BU2527AX |
Philips Semiconductors
Product specification
Silicon Diffused Power Transistor
BU2527AX
Fig.1. Test circuit for V
CEOsust
.
Fig.2. Oscilloscope display for V
CEOsust
.
Fig.3. Switching times waveforms.
Fig.4. Switching times definitions.
Fig.5. Switching times test circuit
Fig.6. Test Circuit RBSOA. V
= 140 V; -V
BB
= 4 V;
L
C
= 100 - 200
μ
H; V
≤
1500 V; L
= 3
H;
C
FB
= 1 - 2.2 nF; I
B
(end) = 1 - 2 A
+ 50v
100-200R
Horizontal
Vertical
Oscilloscope
1R
6V
30-60 Hz
100R
ICsat
90 %
10 %
tf
ts
IBend
IC
IB
t
t
- IBM
VCE / V
min
VCEOsust
IC / mA
100
200
250
0
+ 150 v nominal
adjust for ICsat
Lc
Cfb
T.U.T.
LB
IBend
-VBB
CE
ICsat
B
16 us
6.5 us
5 us
t
t
t
TRANSISTOR
DIODE
IC
IB
LB
IBend
-VBB
LC
T.U.T.
VCC
VCL
CFB
September 1997
3
Rev 2.200
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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參數(shù)描述 |
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