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參數(shù)資料
| 型號： | BU2527A |
| 廠商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | Silicon Diffused Power Transistor |
| 中文描述： | 12 A, 800 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 文件頁數(shù)： | 3/7頁 |
| 文件大?。?/td> | 54K |
| 代理商： | BU2527A |
Philips Semiconductors
Preliminary specification
Silicon Diffused Power Transistor
BU2527A
Fig.3. Switching times waveforms.
Fig.4. Switching times definitions.
Fig.5. Switching times test circuit
Fig.6. Test Circuit RBSOA. V
= 140 V; -V
BB
= 4 V;
L
C
= 100 - 200
μ
H; V
≤
1500 V; L
= 3
H;
C
FB
= 1 - 2.2 nF; I
B
(end) = 1 - 2 A
Fig.7. Typical DC current gain. h
FE
= f (I
C
)
V
CE
= 5 V
Fig.8. Typical base-emitter saturation voltage.
V
BE
sat = f (I
C
); parameter I
C
/I
B
CE
I
B
16 us
6.5 us
5 us
t
t
t
TRANSISTOR
DIODE
CM
IC
IB
LB
IBend
-VBB
LC
T.U.T.
VCC
VCL
CFB
ICM
90 %
10 %
tf
ts
IBend
IC
IB
t
t
- IBM
0.01
0.1
1
10
100
IC / A
100
10
1
BU2527A
h
FE
Tj = 25 C
Tj = -40 C
Tj = 85 C
+ 150 v nominal
adjust for ICM
Lc
BY228
Cfb
T.U.T.
LB
IBend
-VBB
0.1
1
10
IC / A
1.2
1.1
1
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
VBESAT / V
BU2527A
Tj = 25 C
Tj = 85 C
IC/IB =
3
5
November 1995
3
Rev 1.100
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BU2527DF | Silicon Diffused Power Transistor |
| BU2527DX | Silicon Diffused Power Transistor(硅擴散功率型晶體管) |
| BU2530AL | Silicon Diffused Power Transistor |
| BU2530AW | Silicon Diffused Power Transistor(硅擴散功率型晶體管) |
| BU2532AL | Silicon Diffused Power Transistor |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| BU2527AF | 制造商:ISC 制造商全稱:Inchange Semiconductor Company Limited 功能描述:Silicon NPN Power Transistors |
| BU2527AF/B | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR ISOLATED SOT199 |
| BU2527AW | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:Silicon Diffused Power Transistor |
| BU2527AW/B | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:TRANSISTOR LEISTUNGS BIPOLAR |
| BU2527AX | 制造商:PHILIPS-SEMI 功能描述: 制造商:SANYO Semiconductor Co Ltd 功能描述:12 A, 800 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
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