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參數資料
| 型號： | BU2520DW |
| 廠商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | Silicon Diffused Power Transistor(硅擴散功率型晶體管) |
| 中文描述： | 10 A, 800 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-247 |
| 封裝： | PLASTIC, SOT-429, 3 PIN |
| 文件頁數： | 4/6頁 |
| 文件大?。?/td> | 71K |
| 代理商： | BU2520DW |
Philips Semiconductors
Product specification
Silicon Diffused Power Transistor
BU2520DW
Fig.9. Typical turn-off losses.T
= 85C
Eoff = f (I
B
); parameter I
C
; parameter frequency
Fig.10. Typical collector storage and fall time.
ts = f (I
B
); tf = f (I
B
); parameter I
C
; T
j
= 85C; f = 16 kHz
Fig.11. Normalised power dissipation.
PD% = 100
P
D
/P
D 25C
= f (T
mb
)
Fig.12. Transient thermal impedance.
Z
th j-mb
= f(t); parameter D = t
p
/T
Fig.13. Forward bias safe operating area.T
= 25 C
I
& I
= f(V
); I
single pulse; parameter t
Second-breakdown limits independant of temperature.
0.1
1
10
IB / A
Eoff / uJ
1000
100
10
IC = 6 A
5 A
1E-06
1E-04
1E-02
1E+00
t / s
Zth / (K/W)
10
1
0.1
0.01
0.001
D =
t
p
t
p
T
T
P
D
t
D = 0
0.02
0.05
0.1
0.2
0.5
BU2520A
IC / A
100
10
1
0.1
0.01
1
10
100
1000
VCE / V
ICM
ICDC
Ptot
100 us
1 ms
10 ms
DC
30 us
tp =
= 0.01
0.1
1
10
IB / A
ts, tf / us
12
11
10
9
8
7
6
5
4
3
2
1
0
ts
tf
IC =
6 A
5 A
0
20
40
60
80
100
120
140
Tmb / C
PD%
Normalised Power Derating
120
110
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
September 1997
4
Rev 1.100
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BU2520DX | Silicon Diffused Power Transistor(硅擴散功率型晶體管) |
| BU2520D | Silicon Diffused Power Transistor |
| BU2522AF | Silicon Diffused Power Transistor(硅擴散功率型晶體管) |
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| BU2522AX | Silicon Diffused Power Transistor(硅擴散功率型晶體管) |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
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| BU2522 | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:Silicon Diffused Power Transistor |
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