參數(shù)資料
型號(hào): BU2506DF
廠商: NXP SEMICONDUCTORS
元件分類(lèi): 功率晶體管
英文描述: Silicon Diffused Power Transistor
中文描述: 5 A, 700 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
封裝: PLASTIC, FULL PACK-3
文件頁(yè)數(shù): 5/7頁(yè)
文件大?。?/td> 66K
代理商: BU2506DF
Philips Semiconductors
Product specification
Silicon Diffused Power Transistor
BU2506DF
Fig.12. Forward bias safe operating area. T
hs
= 25C
I Region of permissible DC operation.
II Extension for repetitive pulse operation.
NB: Mounted with heatsink compound and
30
±
5 newton force on the centre of
the envelope.
Fig.13. Forward bias safe operating area. T
hs
= 25C
I Region of permissible DC operation.
II Extension for repetitive pulse operation.
NB: Mounted without heatsink compound and
30
±
5 newton force on the centre of
the envelope.
1
100
100
10
1
0.1
0.01
10
1000
I
tp =
10 us
100 us
1 ms
10 ms
DC
IC / A
VCE / V
ICM max
IC max
Ptot max
= 0.01
II
1
100
100
10
1
0.1
0.01
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I
tp =
10 us
100 us
1 ms
10 ms
DC
IC / A
VCE / V
ICM max
IC max
II
= 0.01
Ptot max
September 1997
5
Rev 1.400
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PDF描述
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BU2506DX Silicon Diffused Power Transistor
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