參數資料
型號： BU1507
廠商： NXP Semiconductors N.V.
英文描述： Silicon Diffused Power Transistor
中文描述： 擴散硅功率晶體管
文件頁數： 3/6頁
文件大?。?/td> 54K
代理商： BU1507
Philips Semiconductors
Product specification
Silicon Diffused Power Transistor
BU1507AX
Fig.1. Switching times waveforms.
Fig.2. Switching times definitions.
Fig.3. Switching times test circuit
Fig.4. High and low DC current gain. h
FE
= f (I
C
)
V
CE
= 1 V
Fig.5. High and low DC current gain. h
FE
= f (I
C
)
V
CE
= 5 V
Fig.6. Typical collector-emitter saturation voltage.
V
CE
sat = f (I
C
); parameter I
C
/I
B
IC
IB
VCE
ICsat
IBend
64us
26us
20us
t
t
t
TRANSISTOR
DIODE
0.01
0.1
1
10
100
1
10
100
IC / A
hFE
VCE = 1 V
Ths = 25 C
Ths = 85 C
BU2507AF/X
ICsat
90 %
10 %
tf
ts
IBend
IC
IB
t
t
- IBM
BU2507AF/X
0.01
0.1
1
10
100
1
10
100
IC / A
hFE
VCE = 5 V
Ths = 25 C
Ths = 85 C
+ 150 v nominal
adjust for ICsat
Lc
Cfb
T.U.T.
LB
IBend
-VBB
0.1
1
10
100
0.01
0.1
1
10
Ths = 25 C
Ths = 85 C
BU2507AF/X
IC / A
VCEsat / V
IC/IB = 3
IC/IB = 4
IC/IB = 5
October 1997
3
Rev 1.100
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