參數(shù)資料
型號： BTW69600
廠商： 意法半導體
英文描述： SCR
中文描述： 可控硅
文件頁數(shù)： 3/5頁
文件大?。?/td> 234K
代理商： BTW69600
BTW67 and BTW69 Series
3/5
Fig. 1:
Maximum average power dissipation
versus average on-state current.
Fig. 2:
Average and D.C. on-state current versus
case temperature.
Fig. 3:
Relative variation of thermal impedance
versus pulse duration.
Fig. 4:
Relative variation of gate trigger current,
holding current and latching current versus
junction temperature.
Fig. 5:
number of cycles.
Surge peak on-state current versus
Fig.
current
tp < 10ms, and corresponding value of I2t.
6:
Non-repetitive
for
a
surge
peak
on-state
with
sinusoidal
pulse
width
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BTW69800 SCR
BTW69N1000 SCR
BTW69N1200 SCR
BTW69 SCR
BTY791000R Transient Voltage Suppressor Diodes
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參數(shù)描述
BTW69-600 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:50A SCRs
BTW69-600 制造商:STMicroelectronics 功能描述:THYRISTOR 32A 600V TO-218
BTW69-600RG 功能描述:SCR 40 Amp 600 Volt RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 最大轉(zhuǎn)折電流 IBO:480 A 額定重復關(guān)閉狀態(tài)電壓 VDRM:600 V 關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 開啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS): 正向電壓下降:1.6 V 柵觸發(fā)電壓 (Vgt):1.3 V 最大柵極峰值反向電壓:5 V 柵觸發(fā)電流 (Igt):35 mA 保持電流（Ih 最大值）:75 mA 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220 封裝:Tube
BTW69-600RG 制造商:STMicroelectronics 功能描述:THYRISTOR 32A 600V TO-218
BTW69800 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:SCR
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