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參數(shù)資料
Data Sheet BTS650P
Infineon Technologies AG
Page 12
2000-Mar-24
Characteristics
Current sense versus load current:
I
IS
=
f
(
I
L
), T
J
= -40 ... +150 °C
I
IS
[mA]
I
L
[A]
Current sense ratio:
K
ILIS
=
f
(
I
L
),T
J
= -40°C
k
ilis
I
L
[A]
Current sense ratio:
I
IS
=
f
(
I
L
), T
J
= 25 °C
k
ILIS
I
L
[A]
Current sense ratio:
K
ILIS
=
f
(
I
L
),T
J
= 150°C
k
ilis
I
L
[A]
10000
12000
14000
16000
18000
20000
22000
0
20
40
60
80
max
typ
min
10000
12000
14000
16000
18000
20000
22000
0
20
40
60
80
max
typ
min
0
1
2
3
4
5
6
7
0
20
40
60
80
max
min
10000
12000
14000
16000
18000
20000
22000
24000
26000
28000
30000
0
20
40
60
80
max
typ
min
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BTS6510B | Transient Voltage Suppressor Diodes |
| BTS660-P | Transient Voltage Suppressor Diodes |
| BTS711-L1 | Transient Voltage Suppressor Diodes |
| BTS711L1Q67060-S7000-A2 | Transient Voltage Suppressor Diodes |
| BTS712-N1 | Transient Voltage Suppressor Diodes |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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| BTS660P | 功能描述:SWITCH HGH SIDE CURRNT TO220-7-3 RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> PMIC - MOSFET，電橋驅(qū)動器 - 內(nèi)部開關(guān) 系列:PROFET® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:- 類型:高端/低端驅(qū)動器 輸入類型:SPI 輸出數(shù):8 導(dǎo)通狀態(tài)電阻:850 毫歐，1.6 歐姆 電流 - 輸出 / 通道:205mA，410mA 電流 - 峰值輸出:500mA，1A 電源電壓:9 V ~ 16 V 工作溫度:-40°C ~ 150°C 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:20-SOIC（0.295"，7.50mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PG-DSO-20-45 包裝:帶卷 (TR) |
| BTS660-P | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:?9mOhm - Vbb(on) = 5V-58V - TO220-7-3? |
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