- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄378425 > BTH151S-650R (NXP Semiconductors N.V.) SCR PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | BTH151S-650R |
| 廠商： | NXP Semiconductors N.V. |
| 元件分類： | 參考電壓二極管 |
| 英文描述： | SCR |
| 封裝： | BTH151S-650R<SOT428 (DPAK)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT428.html<1<week 1, 2005,; |
| 文件頁數(shù)： | 4/8頁 |
| 文件大?。?/td> | 116K |
| 代理商： | BTH151S-650R |
Semiconductors
Product specification
Thyristor
High Repetitive Surge
BTH151S-650R
Fig.2. Maximum on-state dissipation, P
, versus
average on-state current, I
T(AV)
, where
a = form factor = I
T(RMS)
T(AV)
.
Fig.3. Maximum permissible rms current I
T(RMS)
,
versus mounting base temperature T
mb
Fig.4. Maximum permissible rms current I
T(RMS)
,
versus mounting base temperature T
mb
Fig.5. Maximum permissible non-repetitive peak
on-state current I
, versus number of cycles, for
sinusoidal currents, f = 50 Hz.
Fig.6. Maximum permissible repetitive rms on-state
current I
T(RMS)
, versus surge duration, for sinusoidal
mb
≤
103C.
Fig.7. Normalised gate trigger voltage
V
GT
(T
j
)/ V
GT
(25C), versus junction temperature T
j
.
0
1
2
3
4
5
6
7
8
0
5
10
15
a = 1.57
1.9
2.2
2.8
4
IF(AV) / A
Ptot / W
Tmb(max) / C
125
conduction
angle
degrees
30
60
90
120
180
form
factor
a
4
2.8
2.2
1.9
1.57
116
107
98
1
10
100
1000
0
20
40
60
80
100
120
Number of half cycles at 50Hz
ITSM / A
T
ITSM
time
I
Tj initial = 25 C max
T
0.01
0.1
1
10
0
5
10
15
20
25
surge duration / s
IT(RMS) / A
10
10us
100
1000
100us
1ms
10ms
T / s
ITSM / A
T
ITSM
time
I
Tj initial = 25 C max
T
dI /dt limit
-50
0
50
100
150
0
5
10
15
Tmb / C
IT(RMS) / A
103 C
-50
0
100
150
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
T50
VGT(Tj)
VGT(25 C)
March 2001
3
Rev 1.001
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| C-1021X | SINGLE DIGIT DISPLAY |
| C-1021E | SINGLE DIGIT DISPLAY |
| C-1021G | SINGLE DIGIT DISPLAY |
| C-1021H | SINGLE DIGIT DISPLAY |
| C-1021SR | SINGLE DIGIT DISPLAY |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| BTH151S-650R /T3 | 功能描述:SCR TAPE13 TRIAC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 最大轉(zhuǎn)折電流 IBO:480 A 額定重復關(guān)閉狀態(tài)電壓 VDRM:600 V 關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 開啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS): 正向電壓下降:1.6 V 柵觸發(fā)電壓 (Vgt):1.3 V 最大柵極峰值反向電壓:5 V 柵觸發(fā)電流 (Igt):35 mA 保持電流（Ih 最大值）:75 mA 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220 封裝:Tube |
| BTH151S-650R,118 | 功能描述:SCR TAPE13 TRIAC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 最大轉(zhuǎn)折電流 IBO:480 A 額定重復關(guān)閉狀態(tài)電壓 VDRM:600 V 關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 開啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS): 正向電壓下降:1.6 V 柵觸發(fā)電壓 (Vgt):1.3 V 最大柵極峰值反向電壓:5 V 柵觸發(fā)電流 (Igt):35 mA 保持電流（Ih 最大值）:75 mA 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220 封裝:Tube |
| BTH-1712-03P1D | 制造商:Amphenol Corporation 功能描述:HERMETICS-ALL SERIES - Bulk |
| BTH-1716-10P1D | 制造商:Amphenol Corporation 功能描述:HERMETIC / BTH-1716-10P1D - Bulk |
| BTH-180-02-L-D-A | 功能描述:.5MM DOUBLE ROW TERMINAL ASSEMBL 制造商:samtec inc. 系列:BTH 包裝:管件 零件狀態(tài):在售 連接器類型:接頭，外罩觸點 針腳數(shù):360 間距:0.020"（0.50mm） 排數(shù):2 安裝類型:表面貼裝 特性:板導軌 觸頭鍍層:金 觸頭鍍層厚度:10μin（0.25μm） 接合堆疊高度:8mm 板上高度:0.286"（7.26mm） 標準包裝:1 |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。