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參數(shù)資料
| 型號： | BTA212B800E |
| 元件分類： | TVS-瞬態(tài)抑制二極管 |
| 英文描述： | Transient Voltage Suppressor Diodes |
| 中文描述： | 可控硅| 800V的五（DRM）的| 12A條口（T）的有效值|采用SOT - 404 |
| 文件頁數(shù)： | 4/6頁 |
| 文件大?。?/td> | 50K |
| 代理商： | BTA212B800E |
Philips Semiconductors
Product specification
Three quadrant triacs
high commutation
BTA212X series B
Fig.7. Normalised gate trigger current
I
GT
(T
j
)/ I
GT
(25C), versus junction temperature T
j
.
Fig.8. Normalised latching current I
(T
j
)/ I
L
(25C),
versus junction temperature T
j
.
Fig.9. Normalised holding current I
(T
j
)/ I
H
(25C),
versus junction temperature T
j
.
Fig.10. Typical and maximum on-state characteristic.
Fig.11. Transient thermal impedance Z
th j-hs
, versus
pulse width t
p
.
Fig.12. Typical critical rate of change of commutating
current dI
com
/dt versus junction temperature.
-50
0
50
Tj / C
100
150
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
BTA212
T2+ G+
T2+ G-
T2- G-
IGT(Tj)
IGT(25 C)
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
0
10
20
30
40
BT138
VT / V
IT / A
Tj = 125 C
Tj = 25 C
typ
max
Vo = 1.175 V
-50
0
50
100
150
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
TRIAC
Tj / C
IL(Tj)
IL(25 C)
0.001
0.01
0.1
1
10
BT138
tp / s
Zth j-hs (K/W)
10us
0.1ms
1ms
10ms
0.1s
1s
10s
tp
P
D
t
bidirectional
unidirectional
with heatsink compound
without heatsink compound
-50
0
50
Tj / C
100
150
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
TRIAC
IH(Tj)
IH(25C)
20
40
60
80
100
120
140
1
10
100
1000
BTA212
Tj / C
dIcom/dt (A/ms)
September 1997
4
Rev 1.200
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BTA212BSERIESB | Transient Voltage Suppressor Diodes |
| BTA212BSERIESC | Transient Voltage Suppressor Diodes |
| BTA212BSERIESD.EANDF | Transient Voltage Suppressor Diodes |
| BTA212BSERIESDEANDF | Transient Voltage Suppressor Diodes |
| BTA212SERIESB | Transient Voltage Suppressor Diodes |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| BTA212B-800E | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:Three quadrant triacs guaranteed commutation |
| BTA212B-800E /T3 | 功能描述:雙向可控硅 THYR AND TRIACS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 開啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS):16 A 不重復(fù)通態(tài)電流:120 A 額定重復(fù)關(guān)閉狀態(tài)電壓 VDRM:600 V 關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 開啟狀態(tài)電壓: 保持電流（Ih 最大值）:45 mA 柵觸發(fā)電壓 (Vgt):1.3 V 柵觸發(fā)電流 (Igt):1.75 mA 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220AB |
| BTA212B-800E,118 | 功能描述:雙向可控硅 THYR AND TRIACS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 開啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS):16 A 不重復(fù)通態(tài)電流:120 A 額定重復(fù)關(guān)閉狀態(tài)電壓 VDRM:600 V 關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 開啟狀態(tài)電壓: 保持電流（Ih 最大值）:45 mA 柵觸發(fā)電壓 (Vgt):1.3 V 柵觸發(fā)電流 (Igt):1.75 mA 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220AB |
| BTA212B-800F | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:Three quadrant triacs guaranteed commutation |
| BTA212BSERIESB | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:Three quadrant triacs high commutation |
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