參數(shù)資料
型號(hào)： BT258S-800LT
廠商： NXP Semiconductors N.V.
元件分類： 參考電壓二極管
英文描述： SCR logic level, high temperature
封裝： BT258S-800LT<SOT428 (SOT428)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT428.html<1<,;
文件頁(yè)數(shù)： 2/12頁(yè)
文件大?。?/td> 72K
代理商： BT258S-800LT
BT258S-800LT_1
NXP B.V. 2008. All rights reserved.
Product data sheet
Rev. 01 — 2 September 2008
2 of 12
NXP Semiconductors
BT258S-800LT
SCR logic level, high temperature
3.
Ordering information
4.
Limiting values
[1]
Operation above T
j
= 110
°
C may require the use of a gate to cathode resistor of 1 k
or less.
Table 2.
Type number
Ordering information
Package
Name
DPAK
Description
plastic single-ended surface-mounted package (DPAK); 3 leads (one lead
cropped)
Version
SOT428
BT258S-800LT
Table 3.
In accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 60134).
Symbol
Parameter
V
DRM
repetitive peak off-state voltage
V
RRM
repetitive peak reverse voltage
I
T(AV)
average on-state current
Limiting values
Conditions
Min
-
-
Max
800
800
5
Unit
V
V
A
half sine wave; T
mb
≤
135
°
C; see
Figure 1
all conduction angles; see
Figure 4
and
5
half sine wave; T
j
= 25
°
C prior to
surge; see
Figure 2
and
3
t = 10 ms
t = 8.3 ms
t
p
= 10 ms
I
TM
= 10 A; I
G
= 50 mA;
dI
G
/dt = 50 mA/
μ
s
I
T(RMS)
RMS on-state current
-
8
A
I
TSM
non-repetitive peak on-state current
-
-
-
75
82
28
50
A
A
A
2
s
A/
μ
s
I
2
t
dI
T
/dt
I
2
t for fusing
rate of rise of on-state current
I
GM
P
GM
P
G(AV)
T
stg
T
j
peak gate current
peak gate power
average gate power
storage temperature
junction temperature
-
-
-
40
2
5
0.5
+150
150
A
W
W
°
C
°
C
over any 20 ms period
[1]
-
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BT258S-800R Logic level thyristor
BT258U-600R Logic level thyristor
BT258X-500R Logic level thyristor
BT258X-600R Logic level thyristor
BT258X-800R Logic level thyristor
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
BT258S-800LT,118 功能描述:SCR Thyristor SCR 800V 82A 3-Pin (2+Tab) RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 最大轉(zhuǎn)折電流 IBO:480 A 額定重復(fù)關(guān)閉狀態(tài)電壓 VDRM:600 V 關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 開(kāi)啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS): 正向電壓下降:1.6 V 柵觸發(fā)電壓 (Vgt):1.3 V 最大柵極峰值反向電壓:5 V 柵觸發(fā)電流 (Igt):35 mA 保持電流（Ih 最大值）:75 mA 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220 封裝:Tube
BT258S-800LT118 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述: 制造商:NXP 功能描述: 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:
BT258S-800R 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:Thyristors logic level
BT258S-800R /T3 功能描述:SCR TAPE13 THY-GP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 最大轉(zhuǎn)折電流 IBO:480 A 額定重復(fù)關(guān)閉狀態(tài)電壓 VDRM:600 V 關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 開(kāi)啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS): 正向電壓下降:1.6 V 柵觸發(fā)電壓 (Vgt):1.3 V 最大柵極峰值反向電壓:5 V 柵觸發(fā)電流 (Igt):35 mA 保持電流（Ih 最大值）:75 mA 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220 封裝:Tube
BT258S-800R,118 功能描述:SCR TAPE13 THY-GP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 最大轉(zhuǎn)折電流 IBO:480 A 額定重復(fù)關(guān)閉狀態(tài)電壓 VDRM:600 V 關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 開(kāi)啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS): 正向電壓下降:1.6 V 柵觸發(fā)電壓 (Vgt):1.3 V 最大柵極峰值反向電壓:5 V 柵觸發(fā)電流 (Igt):35 mA 保持電流（Ih 最大值）:75 mA 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220 封裝:Tube
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購(gòu)需求

(若只采購(gòu)一條型號(hào)，填寫(xiě)一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

*型號(hào) *數(shù)量 廠商 批號(hào) 封裝
添加更多采購(gòu)

我的聯(lián)系方式

*
*
*