參數(shù)資料
型號： BT258X-600R
廠商： NXP Semiconductors N.V.
元件分類： 參考電壓二極管
英文描述： Logic level thyristor
中文描述： 邏輯電平可控硅
封裝： BT258X-600R<SOT186A (TO-220F)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT186A.html<1<week 32, 2004,;
文件頁數(shù)： 1/8頁
文件大小： 124K
代理商： BT258X-600R
DATA SHEET
Product
s
pecification
October 2002
DISCRETE SEMICONDUCTORS
BT258X series
Thyristors
logic level
相關PDF資料
PDF描述
BT258X-800R Logic level thyristor
BT300S-600R Thyristor
BTA140-600 4Q Triac
BTA140-800 4Q Triac
BTA2008-600D 3Q Hi-Com Triac
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
BT258X-600R,127 功能描述:SCR RAIL SCR RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 最大轉折電流 IBO:480 A 額定重復關閉狀態(tài)電壓 VDRM:600 V 關閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 開啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS): 正向電壓下降:1.6 V 柵觸發(fā)電壓 (Vgt):1.3 V 最大柵極峰值反向電壓:5 V 柵觸發(fā)電流 (Igt):35 mA 保持電流（Ih 最大值）:75 mA 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220 封裝:Tube
BT258X-800R 功能描述:SCR RAIL SCR RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 最大轉折電流 IBO:480 A 額定重復關閉狀態(tài)電壓 VDRM:600 V 關閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 開啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS): 正向電壓下降:1.6 V 柵觸發(fā)電壓 (Vgt):1.3 V 最大柵極峰值反向電壓:5 V 柵觸發(fā)電流 (Igt):35 mA 保持電流（Ih 最大值）:75 mA 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220 封裝:Tube
BT258X-800R,127 功能描述:SCR RAIL SCR RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 最大轉折電流 IBO:480 A 額定重復關閉狀態(tài)電壓 VDRM:600 V 關閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 開啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS): 正向電壓下降:1.6 V 柵觸發(fā)電壓 (Vgt):1.3 V 最大柵極峰值反向電壓:5 V 柵觸發(fā)電流 (Igt):35 mA 保持電流（Ih 最大值）:75 mA 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220 封裝:Tube
BT258X-800R127 制造商:NXP 功能描述: 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:
BT26 制造商:Pro-Signal 功能描述:PRE-AMPLIFIER 制造商:PRO SIGNAL 功能描述:PRE-AMPLIFIER
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