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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | BT152-600R |
| 廠商： | NXP Semiconductors N.V. |
| 元件分類： | 參考電壓二極管 |
| 英文描述： | Thyristor |
| 封裝： | BT152-600R<SOT78 (SOT78)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT78.html<1<week 1, 2005,; |
| 文件頁數(shù)： | 3/8頁 |
| 文件大?。?/td> | 104K |
| 代理商： | BT152-600R |
Semiconductors
Product specification
Thyristors
BT152 series
THERMAL RESISTANCES
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
TYP.
MAX.
UNIT
R
th j-mb
Thermal resistance
junction to mounting base
Thermal resistance
junction to ambient
-
-
1.1
K/W
R
th j-a
in free air
-
60
-
K/W
STATIC CHARACTERISTICS
T
j
= 25 C unless otherwise stated
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
TYP.
MAX.
UNIT
I
GT
I
L
I
H
V
T
V
GT
Gate trigger current
Latching current
Holding current
On-state voltage
Gate trigger voltage
V
D
= 12 V; I
T
= 0.1 A
V
D
= 12 V; I
GT
= 0.1 A
V
= 12 V; I
GT
= 0.1 A
I
T
= 40 A
V
D
= 12 V; I
T
= 0.1 A
V
D
= V
DRM(max)
; I
T
= 0.1 A; T
j
= 125 C
V
D
= V
DRM(max)
; V
R
= V
RRM(max)
; T
j
= 125 C
-
-
-
-
-
3
25
15
1.4
0.6
0.4
0.2
32
80
60
1.75
1.5
-
1.0
mA
mA
mA
V
V
V
mA
0.25
-
I
D
, I
R
Off-state leakage current
DYNAMIC CHARACTERISTICS
T
j
= 25 C unless otherwise stated
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
TYP.
MAX.
UNIT
dV
D
/dt
Critical rate of rise of
off-state voltage
Gate controlled turn-on
time
Circuit commutated
turn-off time
V
= 67% V
; T
= 125 C;
exponential waveform gate open circuit
V
D
= V
; I
G
= 0.1 A; dI
G
/dt = 5 A/
μ
s;
I
TM
= 40 A
V
D
= 67% V
DRM(max)
; T
j
= 125 C;
I
= 50 A; V
/dt = 30 A/
μ
s;
dV
D
/dt = 50 V/
μ
s; R
GK
= 100
Ω
200
300
-
V/
μ
s
t
gt
-
2
-
μ
s
t
q
-
70
-
μ
s
March 1997
2
Rev 1.200
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BT152-500RT | SCR |
| BT152-800R | SCR |
| BT152B-400R | Thyristor |
| BT152B-600R | Thyristor |
| BT152B-800R | Thyristor |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| BT152-600R,127 | 功能描述:SCR 20A 650V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 最大轉(zhuǎn)折電流 IBO:480 A 額定重復(fù)關(guān)閉狀態(tài)電壓 VDRM:600 V 關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 開啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS): 正向電壓下降:1.6 V 柵觸發(fā)電壓 (Vgt):1.3 V 最大柵極峰值反向電壓:5 V 柵觸發(fā)電流 (Igt):35 mA 保持電流（Ih 最大值）:75 mA 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220 封裝:Tube |
| BT152-600R | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:THYRISTOR 13A 600V TO-220 |
| BT152-600R/B | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:THYRISTOR 20A 600V |
| bt152-600r127 | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述: 制造商:NXP 功能描述: 制造商:NXP Semiconductors 功能描述: |
| BT152-800R | 功能描述:SCR RAIL SCR RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 最大轉(zhuǎn)折電流 IBO:480 A 額定重復(fù)關(guān)閉狀態(tài)電壓 VDRM:600 V 關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 開啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS): 正向電壓下降:1.6 V 柵觸發(fā)電壓 (Vgt):1.3 V 最大柵極峰值反向電壓:5 V 柵觸發(fā)電流 (Igt):35 mA 保持電流（Ih 最大值）:75 mA 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220 封裝:Tube |
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