參數(shù)資料
型號(hào)： BT151S-650L
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 晶閘管
英文描述： SCR
中文描述： 12 A, 650 V, SCR, TO-252AA
封裝： PLASTIC, SC-63, DPAK-3
文件頁數(shù)： 7/13頁
文件大?。?/td> 76K
代理商： BT151S-650L
BT151S_SER_L_R_5
NXP B.V. 2006. All rights reserved.
Product data sheet
Rev. 05 — 9 October 2006
7 of 13
NXP Semiconductors
BT151S series L and R
Thyristors
Fig 7.
Normalized gate trigger voltage as a function of
junction temperature
Fig 8.
Normalized gate trigger current as a function of
junction temperature
V
o
= 1.06 V
R
s
= 0.0304
(1) T
j
= 125
°
C; typical values
(2) T
j
= 125
°
C; maximum values
(3) T
j
= 25
°
C; maximum values
Fig 9.
On-state current as a function of on-state
voltage
Fig 10. Normalized latching current as a function of
junction temperature
T
j
(
°
C)
50
150
100
0
50
001aaa953
0.8
1.2
1.6
0.4
V
GT
V
GT(25
°
C)
T
j
(
°
C)
50
150
100
0
50
001aaa952
1
2
3
0
I
GT
I
GT(25
°
C)
V
T
(V)
0
2
1.5
0.5
1
001aaa959
10
20
30
I
T
(A)
0
(3)
(2)
(1)
T
j
(
°
C)
50
150
100
0
50
001aaa951
1
2
3
0
I
L
I
L(25
°
C)
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PDF描述
BT151S-650R Thyristor
BT151S-800R SCR
BT151U-500C Thyristor
BT151U-650C SCR
BT151U-800C Thyristor
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參數(shù)描述
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BT151S-650L,118 功能描述:雙向可控硅 TAPE 13-THYR AND RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 開啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS):16 A 不重復(fù)通態(tài)電流:120 A 額定重復(fù)關(guān)閉狀態(tài)電壓 VDRM:600 V 關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 開啟狀態(tài)電壓: 保持電流（Ih 最大值）:45 mA 柵觸發(fā)電壓 (Vgt):1.3 V 柵觸發(fā)電流 (Igt):1.75 mA 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220AB
BT151S-650L118 制造商:NXP 功能描述: 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:
BT151S-650R 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:Thyristor,650V,12A,BT151S-650R
BT151S-650R /T3 功能描述:SCR TAPE13 SCR RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 最大轉(zhuǎn)折電流 IBO:480 A 額定重復(fù)關(guān)閉狀態(tài)電壓 VDRM:600 V 關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 開啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS): 正向電壓下降:1.6 V 柵觸發(fā)電壓 (Vgt):1.3 V 最大柵極峰值反向電壓:5 V 柵觸發(fā)電流 (Igt):35 mA 保持電流（Ih 最大值）:75 mA 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220 封裝:Tube
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