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參數(shù)資料
| 型號： | BT137-800E |
| 廠商： | NXP Semiconductors N.V. |
| 元件分類： | 參考電壓二極管 |
| 英文描述： | 4Q Triac |
| 中文描述： | 4Q雙向可控硅 |
| 封裝： | BT137-800E<SOT78 (TO-220AB)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT78.html<1<week 1, 2005,; |
| 文件頁數(shù)： | 6/13頁 |
| 文件大?。?/td> | 148K |
| 代理商： | BT137-800E |
BT137-800E
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NXP B.V. 2011. All rights reserved.
Product data sheet
Rev. 4 — 25 March 2011
6 of 13
NXP Semiconductors
BT137-800E
4Q Triac
6.
Characteristics
Table 6.
Symbol
Static characteristics
I
GT
Characteristics
Parameter
Conditions
Min
Typ
Max
Unit
gate trigger current
V
D
= 12 V; I
T
= 0.1 A; T2+ G+;
T
j
= 25 °C; see
Figure 7
V
D
= 12 V; I
T
= 0.1 A; T2+ G-;
T
j
= 25 °C; see
Figure 7
V
D
= 12 V; I
T
= 0.1 A; T2- G-;
T
j
= 25 °C; see
Figure 7
V
D
= 12 V; I
T
= 0.1 A; T2- G+;
T
j
= 25 °C; see
Figure 7
V
D
= 12 V; I
G
= 0.1 A; T2+ G+;
T
j
= 25 °C; see
Figure 8
V
D
= 12 V; I
G
= 0.1 A; T2+ G-;
T
j
= 25 °C; see
Figure 8
V
D
= 12 V; I
G
= 0.1 A; T2- G-;
T
j
= 25 °C; see
Figure 8
V
D
= 12 V; I
G
= 0.1 A; T2- G+;
T
j
= 25 °C; see
Figure 8
V
D
= 12 V; T
j
= 25 °C; see
Figure 9
I
T
= 10 A; T
j
= 25 °C; see
Figure 10
V
D
= 12 V; I
T
= 0.1 A; T
j
= 25 °C;
see
Figure 11
V
D
= 400 V; I
T
= 0.1 A; T
j
= 125 °C;
see
Figure 11
V
D
= 800 V; T
j
= 125 °C
-
2.5
10
mA
-
4
10
mA
-
5
10
mA
-
11
25
mA
I
L
latching current
-
3
25
mA
-
14
35
mA
-
3
25
mA
-
4
35
mA
I
H
V
T
V
GT
holding current
on-state voltage
gate trigger voltage
-
-
-
2.5
1.3
0.7
20
1.65
1.5
mA
V
V
0.25
0.4
-
V
I
D
Dynamic characteristics
dV
D
/dt
off-state current
-
0.1
0.5
mA
rate of rise of off-state
voltage
gate-controlled turn-on
time
V
DM
= 536 V; T
j
= 125 °C; exponential
waveform; gate open circuit
I
TM
= 12 A; V
D
= 800 V; I
G
= 0.1 mA;
dI
G
/dt = 5 A/μs
-
50
-
V/μs
t
gt
-
2
-
μs
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BT137-800 | 4Q Triac |
| BT137B-600E | 4Q Triac |
| BT137B-600F | 4Q Triac |
| BT137B-800F | 4Q Triac |
| BT137B-800G | 4Q Triac |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| BT137-800E,127 | 功能描述:雙向可控硅 RAIL TRIAC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 開啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS):16 A 不重復通態(tài)電流:120 A 額定重復關閉狀態(tài)電壓 VDRM:600 V 關閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 開啟狀態(tài)電壓: 保持電流（Ih 最大值）:45 mA 柵觸發(fā)電壓 (Vgt):1.3 V 柵觸發(fā)電流 (Igt):1.75 mA 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220AB |
| BT137-800E127 | 制造商:NXP 功能描述: 制造商:NXP Semiconductors 功能描述: |
| BT137-800F | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:Triacs |
| BT137-800G | 制造商:TECCOR 制造商全稱:TECCOR 功能描述:Thyristor Product Catalog |
| BT137-800G0Q | 功能描述:BT137-800G0/SIL3P/STANDARD MAR 制造商:ween semiconductors 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):在售 三端雙向可控硅類型:標準 電壓 - 斷態(tài):800V 電流 - 通態(tài)（It（RMS））（最大值）:8A 電壓 - 柵極觸發(fā)（Vgt）（最大值）:1V 電流 - 不重復浪涌 50，60Hz（Itsm）:65A，71A 電流 - 柵極觸發(fā)（Igt）（最大值）:50mA 電流 - 保持（Ih）（最大值）:40mA 配置:單一 工作溫度:125°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應商器件封裝:TO-220AB 標準包裝:1,000 |
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