參數(shù)資料
型號(hào)： BT137-800E
廠(chǎng)商： NXP Semiconductors N.V.
元件分類(lèi)： 參考電壓二極管
英文描述： 4Q Triac
中文描述： 4Q雙向可控硅
封裝： BT137-800E<SOT78 (TO-220AB)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT78.html<1<week 1, 2005,;
文件頁(yè)數(shù)： 3/13頁(yè)
文件大?。?/td> 148K
代理商： BT137-800E
BT137-800E
All information provided in this document is subject to legal disclaimers.
NXP B.V. 2011. All rights reserved.
Product data sheet
Rev. 4 — 25 March 2011
3 of 13
NXP Semiconductors
BT137-800E
4Q Triac
4.
Limiting values
Table 4.
In accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 60134).
Limiting values
Symbol
V
DRM
I
T(RMS)
Parameter
repetitive peak off-state voltage
RMS on-state current
Conditions
Min
-
-
Max
800
8
Unit
V
A
full sine wave; T
mb
≤
102 °C;
see
Figure 1
; see
Figure 2
; see
Figure 3
full sine wave; T
j(init)
= 25 °C;
t
p
= 20 ms; see
Figure 4
; see
Figure 5
full sine wave; T
j(init)
= 25 °C;
t
p
= 16.7 ms; see
Figure 4
; see
Figure 5
t
p
= 10 ms; sine-wave pulse
I
T
= 12 A; I
G
= 0.2 A; dI
G
/dt = 0.2 A/μs;
T2+ G+
I
T
= 12 A; I
G
= 0.2 A; dI
G
/dt = 0.2 A/μs;
T2+ G-
I
T
= 12 A; I
G
= 0.2 A; dI
G
/dt = 0.2 A/μs;
T2- G-
I
T
= 12 A; I
G
= 0.2 A; dI
G
/dt = 0.2 A/μs;
T2- G+
I
TSM
non-repetitive peak on-state
current
-
65
A
-
71
A
I
2
t
dI
T
/dt
I
2
t for fusing
rate of rise of on-state current
-
-
21
50
A
2
s
A/μs
-
50
A/μs
-
50
A/μs
-
10
A/μs
I
GM
V
GM
P
GM
P
G(AV)
T
stg
T
j
peak gate current
-
2
A
peak gate voltage
peak gate power
average gate power
storage temperature
junction temperature
-
-
-
-40
-
5
5
0.5
150
125
V
W
W
°C
°C
over any 20 ms period
f = 50 Hz
T
mb
≤
102 °C
RMS on-state current as a function of surge
duration; maximum values
Fig 1.
RMS on-state current as a function of mounting
base temperature; maximum values
Fig 2.
T
mb
(
°
C)
50
150
100
0
50
003aae689
4
6
2
8
10
I
T(RMS)
(A)
0
003aae692
0
10
2
5
10
15
20
25
10
1
1
10
surge duration (s)
I
T(RMS)
(A)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BT137-800 4Q Triac
BT137B-600E 4Q Triac
BT137B-600F 4Q Triac
BT137B-800F 4Q Triac
BT137B-800G 4Q Triac
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
BT137-800E,127 功能描述:雙向可控硅 RAIL TRIAC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 開(kāi)啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS):16 A 不重復(fù)通態(tài)電流:120 A 額定重復(fù)關(guān)閉狀態(tài)電壓 VDRM:600 V 關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 開(kāi)啟狀態(tài)電壓: 保持電流（Ih 最大值）:45 mA 柵觸發(fā)電壓 (Vgt):1.3 V 柵觸發(fā)電流 (Igt):1.75 mA 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220AB
BT137-800E127 制造商:NXP 功能描述: 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:
BT137-800F 制造商:PHILIPS 制造商全稱(chēng):NXP Semiconductors 功能描述:Triacs
BT137-800G 制造商:TECCOR 制造商全稱(chēng):TECCOR 功能描述:Thyristor Product Catalog
BT137-800G0Q 功能描述:BT137-800G0/SIL3P/STANDARD MAR 制造商:ween semiconductors 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):在售 三端雙向可控硅類(lèi)型:標(biāo)準(zhǔn) 電壓 - 斷態(tài):800V 電流 - 通態(tài)（It（RMS））（最大值）:8A 電壓 - 柵極觸發(fā)（Vgt）（最大值）:1V 電流 - 不重復(fù)浪涌 50，60Hz（Itsm）:65A，71A 電流 - 柵極觸發(fā)（Igt）（最大值）:50mA 電流 - 保持（Ih）（最大值）:40mA 配置:單一 工作溫度:125°C（TJ） 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-220AB 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購(gòu)需求

(若只采購(gòu)一條型號(hào)，填寫(xiě)一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

*型號(hào) *數(shù)量 廠(chǎng)商 批號(hào) 封裝
添加更多采購(gòu)

我的聯(lián)系方式

*
*
*