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參數(shù)資料
| 型號： | BT136S-500 |
| 廠商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | 晶閘管 |
| 英文描述： | DIODE ZENER DUAL COMMON-ANODE 300mW 51Vz 5mA-Izt 0.05 0.1uA-Ir 38 SOT-23 3K/REEL |
| 中文描述： | 500 V, 4 A, 4 QUADRANT LOGIC LEVEL TRIAC, TO-252 |
| 封裝： | PLASTIC, SOT-428, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 92/224頁 |
| 文件大?。?/td> | 2697K |
| 代理商： | BT136S-500 |
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http://www.teccor.com
+1 972-580-7777
E9 - 6
2002 Teccor Electronics
Thyristor Product Catalog
Sidac
Data Sheets
Figure E9.15 Relaxation Oscillator Using a Sidac
Figure E9.16 Sidac Added to Protect Transistor for Typical Transistor Inductive Load Switching Requirements
VDC(IN)
≥
VB0
VC
IL
RL
R
SIDAC
(a) Circuit
Rmax
≤
VIN - VBO
IBO
Rmin
≥
VIN - VTM
IH (MIN)
(b) Waveforms
VBO
VC
IL
t
t
C
V
CE
Monitor
100 mH
I
Monitor
+
-
R
S
= 0.1
Test Circuit
V
BB1
=10 V
+
-
V
BB2
=0
R
BB2
=
100
R
BB1
=
150
2N6127
(or equivalent)
50
50
Input
(See Note B)
TIP-47
V
CC
= 20 V
Voltage and Current Waveforms
Input
Voltage
0 V
5 V
0.63 A
0
Sidac V
BO
10 V
V
CE(sat)
t
≈
3 ms
(See Note A)
Collector
Current
Collector
Voltage
100 ms
t
w
Note A: Input pulse width is increased until I
CM
= 0.63 A.
Note B: Sidac (or Diac or series of Diacs) chosen so that V
is just below V
rating of transistor to be protected.
The Sidac (or Diac) eliminates a reverse breakdown of the transistor in inductive switching circuits where otherwise the
transistor could be destroyed.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BT136S-500F | Triacs |
| BT136S-500G | Triacs |
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| BT137F-500 | DIODE SWITCHING DUAL-DUAL SERIES 75V 215mA-Io 200mW 4ns-trr SOT-363 3K/REEL |
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參數(shù)描述 |
|---|---|
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| BT136S500DT/R | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRIAC|500V V(DRM)|4A I(T)RMS|TO-252AA |
| BT136S-500E | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:Triacs sensitive gate |
| BT136S500ET/R | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRIAC|500V V(DRM)|4A I(T)RMS|TO-252AA |
| BT136S-500F | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:Triacs |
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