參數(shù)資料
型號: BT136S-500
廠商: NXP SEMICONDUCTORS
元件分類: 晶閘管
英文描述: DIODE ZENER DUAL COMMON-ANODE 300mW 51Vz 5mA-Izt 0.05 0.1uA-Ir 38 SOT-23 3K/REEL
中文描述: 500 V, 4 A, 4 QUADRANT LOGIC LEVEL TRIAC, TO-252
封裝: PLASTIC, SOT-428, 3 PIN
文件頁數(shù): 43/224頁
文件大?。?/td> 2697K
代理商: BT136S-500
第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁第27頁第28頁第29頁第30頁第31頁第32頁第33頁第34頁第35頁第36頁第37頁第38頁第39頁第40頁第41頁第42頁當(dāng)前第43頁第44頁第45頁第46頁第47頁第48頁第49頁第50頁第51頁第52頁第53頁第54頁第55頁第56頁第57頁第58頁第59頁第60頁第61頁第62頁第63頁第64頁第65頁第66頁第67頁第68頁第69頁第70頁第71頁第72頁第73頁第74頁第75頁第76頁第77頁第78頁第79頁第80頁第81頁第82頁第83頁第84頁第85頁第86頁第87頁第88頁第89頁第90頁第91頁第92頁第93頁第94頁第95頁第96頁第97頁第98頁第99頁第100頁第101頁第102頁第103頁第104頁第105頁第106頁第107頁第108頁第109頁第110頁第111頁第112頁第113頁第114頁第115頁第116頁第117頁第118頁第119頁第120頁第121頁第122頁第123頁第124頁第125頁第126頁第127頁第128頁第129頁第130頁第131頁第132頁第133頁第134頁第135頁第136頁第137頁第138頁第139頁第140頁第141頁第142頁第143頁第144頁第145頁第146頁第147頁第148頁第149頁第150頁第151頁第152頁第153頁第154頁第155頁第156頁第157頁第158頁第159頁第160頁第161頁第162頁第163頁第164頁第165頁第166頁第167頁第168頁第169頁第170頁第171頁第172頁第173頁第174頁第175頁第176頁第177頁第178頁第179頁第180頁第181頁第182頁第183頁第184頁第185頁第186頁第187頁第188頁第189頁第190頁第191頁第192頁第193頁第194頁第195頁第196頁第197頁第198頁第199頁第200頁第201頁第202頁第203頁第204頁第205頁第206頁第207頁第208頁第209頁第210頁第211頁第212頁第213頁第214頁第215頁第216頁第217頁第218頁第219頁第220頁第221頁第222頁第223頁第224頁
Data Sheets
Quadrac
2002 Teccor Electronics
Thyristor Product Catalog
E3 - 5
http://www.teccor.com
+1 972-580-7777
Figure E3.7 Maximum Allowable Case Temperature versus
On-state Current (4 A)
Figure E3.8 Maximum Allowable Case Temperature versus
On-state Current (6 A to 15 A)
Figure E3.9 Peak Surge Current versus Surge Current Duration
Figure E3.10 Power Dissipation (Typical) versus On-state Current (4 A)
Figure E3.11 Power Dissipation (Typical) versus On-state Current
(6 A to 10 A and 15 A)
Figure E3.12 Normalized diac V
BO
versus Junction Temperature
RMS On-state Current [I
T(RMS)
] – Amps
0
.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
M
C
)
CURRENT WAVEFORM: Sinusoidal
LOAD: Resistive or Inductive
CONDUCTION ANGLE: 360
as shown on Dimensional Drawings
130
120
110
100
90
80
70
60
4 A
RMS On-state Current [I
T(RMS)
] – Amps
0
2.0
4.0
6.0
8.0
10.0
12.0
14.0
16.0
18.0
20.0
M
C
)
CURRENT WAVEFORM: Sinusoidal
LOAD: Resistive or Inductive
CONDUCTION ANGLE: 360
CASE TEMPERATURE: Measured
as shown on Dimensional Drawings
130
120
110
100
90
80
70
60
0
6 A
10 A
8 A
15 A
200
120
40
1
2
3 4 5 6
8 10
20
3040
60 80 100
200
300
600
1000
80
60
50
8
6
5
4
10
30
20
1
3
2
Surge Current Duration – Full Cycles
P
O
T
)
SUPPLY FREQUENCY: 60 Hz Sinusoidal
LOAD: Resistive
RMS ON-STATE CURRENT [IT(RMS)]: Maximum
NOTES:
1) Gates control may be lost during
and immediately following surge
current interval.
2) Overload may not be repeated until
junction temperature has returned to
steady state rated value.
15 A
10 A
6 A
4 A
A
D
]
RMS On-state Current [I
T(RMS)
] – Amps
4.0
3.0
2.0
1.0
0
0
1.0
2.0
3.0
4.0
5.0
CURRENT WAVEFORM: Sinusoidal
LOAD: Resistive or Inductive
CONDUCTION ANGLE: 360
4 A
CURRENT WAVEFORM: Sinusoidal
LOAD: Resistive or Inductive
CONDUCTION ANGLE: 360
18
16
14
12
10
8
6
4
2
0
16
14
12
10
8
6
4
2
0
RMS On-state Current [I
T(RMS)
] – Amps
D
]
15 A
6 A to 10 A
-8
-6
-4
-2
0
+2
+4
-40
-20
0
+20
+40 +60 +80 +100 +120 +140
Junction Temperature (T
J
) – C
P
B
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BT136S-500F Triacs
BT136S-500G Triacs
BT136S-600G DIODE ZENER DUAL COMMON-ANODE 300mW 8.2Vz 5mA-Izt 0.05 0.1uA-Ir 6 SOT-23 3K/REEL
BT136S-800G RECTIFIER SCHOTTKY SINGLE 0.5A 20V 5.5A-Ifsm 0.385Vf 0.25A-IR SOD-123 3K/REEL
BT137F-500 DIODE SWITCHING DUAL-DUAL SERIES 75V 215mA-Io 200mW 4ns-trr SOT-363 3K/REEL
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
BT136S-500D 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:Triacs logic level
BT136S500DT/R 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRIAC|500V V(DRM)|4A I(T)RMS|TO-252AA
BT136S-500E 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:Triacs sensitive gate
BT136S500ET/R 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRIAC|500V V(DRM)|4A I(T)RMS|TO-252AA
BT136S-500F 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:Triacs