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參數(shù)資料
| 型號： | BT131W-500 |
| 廠商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | 晶閘管 |
| 英文描述： | Triacs logic level |
| 中文描述： | 500 V, 1 A, 4 QUADRANT LOGIC LEVEL TRIAC |
| 封裝： | SOT-223, 4 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 2/7頁 |
| 文件大?。?/td> | 37K |
| 代理商： | BT131W-500 |
Philips Semiconductors
Product specification
Triacs
logic level
BT131W series
THERMAL RESISTANCES
SYMBOL
PARAMETER
R
th j-sp
Thermal resistance
junction to solder point
R
th j-a
Thermal resistance
junction to ambient
CONDITIONS
full or half cycle
MIN.
-
-
-
-
TYP.
-
-
156
70
MAX.
15
-
-
-
UNIT
K/W
K/W
K/W
K/W
pcb mounted; minimum footprint
pcb mounted; pad area as in fig:14
STATIC CHARACTERISTICS
T
j
= 25 C unless otherwise stated
SYMBOL
PARAMETER
I
GT
Gate trigger current
CONDITIONS
V
D
= 12 V; I
T
= 0.1 A
MIN.
TYP.
MAX.
UNIT
T2+ G+
T2+ G-
T2- G-
T2- G+
-
-
-
-
0.4
1.3
1.4
3.8
3
3
3
7
mA
mA
mA
mA
I
L
Latching current
V
D
= 12 V; I
GT
= 0.1 A
T2+ G+
T2+ G-
T2- G-
T2- G+
-
-
-
-
-
-
-
1.2
4.0
1.0
2.5
1.3
1.2
0.7
0.3
0.1
5
8
5
8
5
mA
mA
mA
mA
mA
V
V
V
mA
I
H
V
T
V
GT
Holding current
On-state voltage
Gate trigger voltage
V
= 12 V; I
GT
= 0.1 A
I
T
= 2 A
V
D
= 12 V; I
T
= 0.1 A
V
D
= 400 V; I
T
= 0.1 A; T
j
= 125 C
V
D
= V
DRM(max)
; T
j
= 125 C
1.5
1.5
-
0.5
0.2
-
I
D
Off-state leakage current
DYNAMIC CHARACTERISTICS
T
j
= 25 C unless otherwise stated
SYMBOL
PARAMETER
dV
D
/dt
Critical rate of rise of
off-state voltage
t
gt
Gate controlled turn-on
time
CONDITIONS
V
= 67% V
; T
= 125 C;
exponential waveform; R
= 1 k
I
TM
= 1.5 A; V
D
= V
DRM(max)
; I
G
= 0.1 A;
dI
G
/dt = 5 A/
μ
s
MIN.
5
TYP.
15
MAX.
-
UNIT
V/
μ
s
-
2
-
μ
s
May 2000
2
Rev 1.100
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BT131WSERIES | Triacs logic level |
| BT131W | Triacs logic level |
| BT132-500D | Triacs logic level |
| BT132_SERIES_D | Triacs logic level |
| BT132SERIESD | Triacs logic level |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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